1、2012年4月推出28纳米多晶硅(Snapdragon S4)。
2、2013年7月推出28纳米high-k/metal-gate(Snapdragon 800)。
3、2015上半年将推出20纳米high-k/metal-gate(Snapdragon 808 / 810)。
2013年9月至10月期间，采用22纳米工艺生产的SoC芯片实现量产，预计今年的产量更大。如果高通在2016年第二季度或第三季度之前推出16纳米FinFET工艺的设备，那么英特尔会将在平板方面领先一年半左右的时间，还将在智能手机上领先三至四个季度。。
可以预见的是，如果高通推出产品较晚，那么英特尔的领先地位将变得更加明显，对英特尔而言竞争环境也会变得更容易。
