三星：在技术上的追赶和超越
三星同样押注3nm节点，进度及技术选择都很激进，三星将淘汰FinFET晶体管，直接使用GAA环绕栅极晶体管。
根据三星的信息，相较于7nm FinFET工艺，3nm工艺可以减少50％能耗、增加30％性能。三星计划2021年量产，疫情影响已推迟到2022年，但没有明确具体时间。
去年，三星的Foundry Forum活动中强调了先进封装的重要性；今年，三星的Foundry Forum则将重点放在了先进制程的进度上。就此，我们也能够很明显地感受到，三星与台积电之间的竞争越发激烈。
前不久，三星也公布了未来的制程工艺路线图，公司计划今年推出7nm EUV工艺，明年有5／4nm EUV工艺，2020年则会推出3nm EUV工艺，同时晶体管类型也会从FinFET转向GAA结构。
不过，根据最新的消息显示，受今年新冠疫情的影响，三星的3nm工艺的进度可能将推迟。
基于GAA的工艺节点有望在下一代应用中广泛采用，例如移动、网络通讯、汽车电子、人工智能（AI）和IoT物联网等。
值得一提的是，三星一直被诟病的晶体管密度仍然未被提及。作为GAA技术的领头羊，三星究竟能否借由3nm工艺翻盘，还需要时间来证明。
三星在10nm、7nm及5nm节点的进度都会比台积电要晚一些，导致台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单，三星只抢到IBM、NVIDIA及高通部分订单。
不过三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上，预计2021年量产，这个时间点要早于台积电。
英特尔：主流工艺反超 新战场保守
去年英特尔超越三星，夺回了全球半导体市场的一哥地位，过去27年以来英特尔在这个榜单上把持了25年之久。
再下一步，英特尔还要在半导体技术上追上来，其7nm工艺晶体管密度就接近台积电3nm工艺了，5nm节点反超几乎是板上钉钉了。
在10nm走上正轨之后，英特尔宣布他们的半导体工艺发展将回到2年一个周期的路线上来，2021年就会量产7nm工艺，首发高性能的Xe架构GPU，2022年会扩展到更多的CPU等产品中。
现在还没公布官方细节，不过英特尔从22nm工艺到14nm是2．4x缩放，14nm到10nm是2．7x缩放，都超过了摩尔定律的2x工艺缩放水平。
英特尔 CEO司睿博之前提到过7nm工艺会会到正常缩放，那至少是2x到2．4x缩放，意味着7nm工艺的晶体管密度将达到2亿／mm2到2．4亿／mm2之间。
这样看来，如果是2．4亿／mm2的水平，那英特尔的7nm工艺就能达到台积电3nm工艺的水平，保守一点2亿／mm2的话，那也非常接近了。
