7nm之后英特尔还会进入5nm节点，时间点会在2023年，按照英特尔的水平，至少也是2x缩放，那晶体管密度至少会达到4亿／mm2，远远超过台积电的3nm工艺水平，台积电的2nm工艺在2023年之前应该没戏的。
目前的计算还是理论性的，但是只要英特尔的工艺路线重回正轨，先进工艺上追回来并不让人意外，台积电、三星并不能小觑半导体一哥的技术实力。
7nm之后是更先进的5nm、3nm、2nm和1．4nm，其中5nm、3nm和2nm处在路线发现阶段，分别计划在2023年、2025年和2027年采用，2029年拟开始采用1．4nm工艺。
同时，英特尔或也将在5nm工艺阶段放弃FinFET晶体管，转向GAA环绕栅极晶体管。
其首席财务官也曾指出，英特尔要进行10nm量产、7nm提速、5nm投资，考虑到这部分技术交集主要集中在2020～2021年，也必然会影响到英特尔毛利率。
从流程路线图来看，英特尔将按照每两年一次主要节点更新的节奏进行。而3nm，排到了2025年来实现。
决战3nm面临的挑战
①虽说现在台积电和三星的7nm EUV产品已经步入正轨，但当先进工艺推进到3nm之时，与之相关的EUV技术也将再次发生变化。
而这就涉及了EUV曝光技术的开发方面最重要的是EUV曝光设备的改良。
②EUV掩膜、检测掩膜的缺陷以及光源功率等都将影响EUV技术在先进工艺上的使用。
③虽然台积电、三星以及英特尔都计划在GAA上有所投入，但在3nm初期阶段就采用新型晶体管，是否能够被市场接纳，也是值得厂商思考的事情。
④如果采用GAA工艺，则需要导入新材料，因此制程技术上相当困难，尤其是在蚀刻部分是大挑战。
⑤3nm工艺节点的互连是芯片中的微小铜布线方案，它在每个节点上变得越发紧凑，造成芯片中不必要的RC延迟。
结尾：
纵观全球半导体制程玩家，目前仅剩三足鼎立：英特尔、三星和台积电。而其中真正卯着劲在攻坚3nm的，其实只有三星和台积电两家而已。从市场份额来看，台积电暂时领先。
