【OFweek电子工程网原创】：三星将在2012 ISSCC会议上发布20nm制程的8GB相变内存（PCM），重新点燃业界关于相变内存是否可投入商用的争论。
2011年12月5日到7日在华盛顿举行的国际电子器件会议上，三星的工程师将先展示20nm制程的相变RAM单元。
与当前的技术水平相比，20nm制程的8G相变RAM是一大很大的飞跃。在2011年2月举行的ISSCC会议上，三星展示了58nm制程的1G相变内存，该内存配备了一个低功耗的DDR非易失性内存（LPDDR2-N）接口。
三星和美光科技公司（Micron Technology）是业界可提供非易失性相变内存并投入商用的两家公司。即便如此，目前该领域还是几乎没有关于相变内存的报告。
此次三星打算推出一个工作电压为1.8V、带宽为40Mb/s的20nm制程的大型相变内存，这使得相变内存的性能提升至接近NAND闪存的水平。
不过，NAND闪存存储和检测多位元的能力使得闪存比PCM更具内存容量优势。闪存也有望可以发展成以一种垂直堆叠多个内存单元的形式来使内存容量进一步微缩。
相变内存的工作原理是通过检测电阻加热时硫属化合物合金在非晶态和晶态之间的转变所产生的电阻变化来存储信息。业界一直希望这种技术可以将交叉点内存的可微缩性优势与闪存的非易失性优势相结合，同时提供优异的耐用性和寻址能力。
不过，PCM在部署上还面临着很多障碍，不仅仅是超越NAND闪存的快速微缩能力。PCM的技术挑战将继续存在于存储单元微缩热效应的能力，以及来自邻近单元的热干扰问题。另外，考虑到PCM材料对温度的敏感性，不知道预编程的相变内存在印刷电路板生产过程中是否会受影响。
