ARM总裁:Intel移动IC工艺技术不占优势

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  OFweek电子工程网2012年10月24日:ARM总裁Warren East表示,“英特尔公司在移动IC的生产工艺上不占优势。”

  “去年这个时候英特尔阵营为他们的制造优势做出很多噱头,”East说,“我们一直对此表示怀疑,因为ARM企业系统正研发28nm制程,而英特尔才进行32nm制程的开发,我没看到他们哪里更领先。”

  此外,随着Foundries开发周期的缩短,开发速度的加快,英特尔将会发现移动工艺技术的发展将会超出他们的预料。

  “我们支持所有的独立研发,”East说道,“包括TSMC 20nm planar bulk CMOS和16nm FinFET,三星 20nm planar bulk CMOS、14nm FinFET和20nm planar bulk CMOS, 以及Global Foundries 20nm FD-SOI和14nm FinFET。”

  它使得ARM生态系统有一个庞大的工艺群可以选择。“我没有更好的方法判断哪个工艺比其他工艺更成功,”East说,“我们的方法与工艺无关。”

  重要的是,Foundries的工艺与英特尔的方向在14nm制程相交轨。

  14nm将是英特尔在更小节点的移动SOC的首要目标,他们或许会将之放到某个首次发布的新工艺IC中。

  当问及Foundries是否准备推出下一代更小节点移动SOC,East回复说,”这也是我们想要从Foundries那知道的信息。“

  Global Foundries打算在2014年批量制造14nm FinFET,与英特尔开始生产14nm FinFET的计划处于同一时间。

  事实上,GF的14nm工艺可能比英特尔的更小,Global Foundries的高级副总裁Mojy Chian 说:“因为英特尔的术语库与开发界使用的术语库不匹配。比如,在back-end metallisation方面英特尔的22nm制程与开发界的28nm制程,英特尔22nm制程的设计规则和间距与代工厂的28nm制程的差异。

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