＜用语说明＞
◇ 体二极管(Body diode)
MOSFET 的结构中，寄生于内部而形成的二极管。逆变器工作时，电流经过此二极管，因此要求具备低VF值和
高速恢复特性。
◇ 尾电流(Tail current)
IGBT 中的关断时流过的瞬态电流。因空穴注入的积累时间而产生。此期间内需要较高的漏极电压，因此产生较
大的开关损耗。
◇ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极晶体管)
不仅电子，不同的空穴，电流流经而实现低导通电阻的功率晶体管。因空穴注入的积累时间无法高速动作，具有
开关损耗较大的问题。
◇ 正向电压(VF ：Forward Voltage)
正向电流流经时二极管产生的电压值。数值越小耗电量越小。
◇ 导通电阻
功率元件工作时的电阻值。这是影响功率MOSFET 性能的最重要的参数，数值越小性能越高。
