电源设计中，工程师通常会面临控制IC驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制IC功耗过大的问题。为缓解这一问题，工程师通常会采用外部驱动器。半导体厂商（包括TI在内）拥有现成的MOSFET集成电路驱动器解决方案，但这通常不是成本最低的解决方案。通常会选择价值几美分的分立器件。
简单的缓冲器可驱动2Amps以上的电流，FMMT618的更高电流驱动器可增强驱动能力。
图1：中的示意图显示了一个NPN/PNP发射跟随器对
图一中的示意图显示了一个NPN/PNP发射跟随器对，其可用于缓冲控制IC的输出。这可能会增加控制器的驱动能力并将驱动损耗转移至外部组件。许多人都认为该特殊电路无法提供足够的驱动电流。
如图2中hf曲线所示，通常厂商都不会为这些低电流器件提供高于0.5A的电流。但是，该电路可提供大大高于0.5A的电流驱动，如图1中的波形所示。就该波形而言，缓冲器由一个50Ω源驱动，负载为一个与1Ω电阻串联的0.01 uF电容。该线迹显示了1Ω电阻两端的电压，因此每段接线柱上的电流为2A.该数字还显示MMBT2222A可以提供大约3A的电流，MMBT3906吸收2A的电流。
事实上，晶体管将与其组件进行配对（MMBT3904用于3906，MMBT2907用于2222）。这两个不同的配对仅用于比较。这些器件还具有更高的电流和更高的hfe， 如FMMT618/718对，其在6A电流时具有100 的hfe（请参见图2）。与集成驱动器不同，分立器件是更低成本的解决方案，且有更高的散热和电流性能。
图2：诸如FMMT618的更高电流驱动器可增强驱动能力
