熊总表示"中国国内的基站相关业务，从2013年二季度开始就呈现出一个迅猛增长的趋势，而且在未来半年仍将持续。"跟通信有关的中国设备厂商将在2~3年内迎来一个巨大的发展机遇，尤其是骨干网、4G网络方面。
3年前，中国骨干网对光通讯是从10G到40G演化，从去年开始从40G向100G演进，由于光通讯是高频芯片做的驱动，这些都是砷化镓做的，而下一步将是推进氮化镓基站的发展。
对于氮化镓产品，TriQuint经更新了2~3代产品，目前支持氮化镓产品的公司包括飞思卡尔等。氮化镓技术可能是未来3年市场的主要发展方向，其产品最大的特点是高效率、省电、散热好；另外一个显著特点是可维持高频带宽，能更好地进行数据传输。
"但氮化镓最大的难题在于成本问题。"熊总表示，"现在氮化镓的原材料主要是以氮化硅为衬底，包括大尺寸（4寸）、生产线在内等都在制约着氮化镓的成本。"除此之外，还要解决生产产品性能方面的问题，最后就是衬底材料，由于氮化硅比较复杂，所以厂商在选择时就显得尤为重要。
同时，熊总谈到信号的分层覆盖模式。利用小基站在城市的楼宇之间进行数据盲点的覆盖和流量的增强，也将会在骨干网络的铺设基本完成后形成一个新的市场方向。
在采访的最后，熊总表示，"TriQuint有一个愿景，就是在未来5年左右的时间里将氮化镓工艺的产品应用到手机中。"这将会使4G产业链形成一个较为高效且完整的生态系统。
【知识点】
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
