三星集团创始人李秉哲不顾公司众人反对，毅然决然地于1983年在日本东京正式开始进军半导体行业。对此他曾经表示，三星符合韩国缺乏资源的自然条件，只有开发高附加值、技术含量高的产品才能实现企业的第二次飞跃。
在此后的10个月内，三星电子在世界上第三个推出64KDRAM，这在国内外经济界引起强烈反响。然而，日后由于半导体价格暴跌，企业在事业之初陷入困境。尽管如此，三星的存储器半导体依然取得了长足的发展，1992年率先开发成功64MDRAM，终于在世界上确保了最强的技术实力；1993年如愿以偿地荣登存储器半导体世界第一的宝座。此后于1994年和1996年连续开发成功256M和1GDRAM，这同样拥有‘世界最先开发’的荣耀，这样，半导体逐渐成为韩国具有代表性的产业。2002年NANDFlash位居世界榜首；2006年与2007年分别在世界上率先研制成功50纳米级DRAM和30纳米级NAND等，三星电子在存储器领域的占有率超过30%，成为业界的强者。
三星电子在2010年度依然保持着领先于世界的记录，诸如最先进行30纳米级DRAM的批量生产、从7月份开始批量生产30纳米级4GbDDR3(DoubleDataRate3)DRAM。30纳米只相当于发丝1/4的厚度，30纳米级DRAM与现有40纳米级DRAM相比，可提高60%的生产效率；成本竞争力相当于50~60纳米级DRAM的2倍以上；此外，耗电量与50纳米级DRAM相比最多可减少65%以上。
据市场调查机构Gartner相关资料显示，DRAM发展势头良好，在2010年第二季度DRAM排名中，三星电子始终保持先导地位。Gartner在报告中称，三星电子的市场占有率超过35%，这更加巩固了其在市场上的地位。
三星电子2010年度半导体投资规模达11兆韩元，特别是将存储器半导体设施投资由当初计划的5兆5000亿韩元增加至9兆韩元。从中可以看出，三星电子在2010年将继续确保其在上述领域世界最大供给商的地位。
另一方面，市场调查机构ICInsights预计，三星电子于2014年有望超越英特尔，跃升为半导体行业榜首。1999~2009年，三星电子的年均增长率（CAGR）为13.5%，而英特尔为3.4%，以此为依据，预计2014年三星电子的销售额将超过英特尔。
另外一个值得关注的是铸造（foundry）领域，三星电子在该领域尚未扬名，2010年是三星电子进军铸造领域第五个年头。
