在蒙特利尔举办的IEEE能量转换国会和世博会（ECCE）上，GaN Systems展出了650V/100A的GaN功率晶体管。
加拿大公司声称：他们已为太阳能、工业及汽车领域的潜在客户提供样品。新款 GaN 高功率增强型器件GS66540C比100V/nS的转换速度快。Rds的导通电阻约为20m。
封装被描述为层压bond-wire-lessGaNPX封装的“一种先进形式”，主要用于更高电流、极低的电阻和改善的贴装机械鲁棒性场合——后者主要应用于工业和汽车市场。
现在暂时还没有更多详细资料。大部分公司的功率晶体管需要5V的栅极驱动，断开状态下不需要负电压。栅极电阻用来控制突然关闭，防止漏栅电容中栅极电压瞬变。
现有GaNPX封装的主体由像层压板的FR-4和分离的耐热片（晶粒直接结合耐热片）组成，晶粒必须外部通电才能正常运行。
在ECCE展会上，将有来自Ricardo GaN System晶体管的2kW商用汽车逆变器和来自美国制造商联盟NextHome的家用800-380V双相或DC/DC逆变器。（Silvia译 文章来源：Electronics Weekly）
