总部设在圣何塞加利福尼亚州的因特锡尔公司（Intersil）宣布将收购长城半导体公司（Great Wall Semiconductor）。长城半导体公司是一家拥有功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）开发技术、云计算技术、空间和消费应用技术的民营科技公司。横向功率MOSFET专业技术与知识产权被特殊保护。
因特锡尔公司称，长城半导体设计团队的先进设计与工艺技术具有非常高的价值，可帮助英特锡尔公司提高复杂电力系统效率，减小碳排放量。长城半导体现有与新研发中的FET产品与英特锡尔的电源控制器系列组合后，将为英特锡尔扩大市场提供强有力的整合机遇，加速下一代功率设备的开发与创新。
英特锡尔公司电源产品部高级副总裁马克·唐宁（Mark Downing）认为，规模小但经验丰富的长城半导体团队将是英特锡尔的一笔巨大财富，能够持续提高他们的电源管理能力。英特锡尔的发展战略是通过高效、高度集成的电源管理解决方案的开发建立市场领导地位。
GWS首席执行官山姆·安德森（Sam Anderson）认为，长城半导体专注于横向功率MOSFET器件和处理技术，再加上产品的微芯片级别封装，已经很好地实现了产品的差异化。并且长城半导体拥有可实现节能环保的重要技术知识产权，可与英特锡尔共同开拓更广泛的客户和市场。
英特锡尔收购GWS的初步费用为现金价1900万美元，之后根据2016年达到的收盘业务指标再行支付最高4百万现金价。
长城半导体公司成立于2002年，拥有10名员工，以及22项和低压侧功率MOSFET技术相关的专利。该技术成功地帮助其提高了在云计算、太空及移动应用上的电源转换效率。
