支持快充的5个条件
说到实现快充的N个条件，首先就要简单扯一下快充的整个过程，就拿高通QC为例，在手机插入充电器时，手机在D+针脚加载一个电压，由于此时充电头默认让D+/D-短路，所以手机检测到D+/D-电压一致，在这个电压维持1.25s之后，支持QC2.0的充电头会断开D+/D-，此时D+有电压D-没有，手机和充电头成功“握手”，手机再读取power_supply中voltage_max的数据，通过加载在D+/D-的电压向充电头申请不同的输出值，进行快充。
高通QC握手示例
而联发科以及PD协议都是由PMIC发出脉冲信号，通过USB的Vbus传送至充电器进行“握手”，充电器再依照这个动态的脉冲信号指令调变输出电压，联发科以及PD协议免去了D+/D-的使用（虽然我们很难买到只具有Vbus和GND的数据线），成本比高通要低，但控制逻辑没有高通QC来得简单，又因为其采用脉冲信号传输的原因，抗电磁干扰性和稳定性还有待验证。
PD协议握手示例
在手机向充电器申请输出电压/电流之后，通过数据线传送至手机端，手机端再进行二次降压（VOOC把降压电路已经集成在充电头里面），把动态电压加载到电池保护板的两端。
而从上述过程我们可以发现，实现快充有5个条件，分别是1.充电头、2.线材、3.线材接口、4.内部降压电路（含硬件上的快充芯片+电路和软件上的协议）、5.电池。在此笔者就不逐个分析了，详细的原因请看：《全民闪充时代来临 你的手机没有就out了》
在这几个条件里面，我们似乎没有看到关于 处理器 这三个字，所以说快充和处理器没有必然的联系。通常宣传所说的骁龙XXX支持快充，其实是与骁龙XXX捆绑的芯片组支持快充而已，就像骁龙810有个RF360的射频模块，也是一个捆绑的芯片组，与处理器自身没有必然的联系（虽然RF360作为一个AP，要对应处理器里面的基带模块，但在骁龙810芯片解剖图中笔者是没有发现可以容下电源管理模块的“空间”）。当然，不少厂商会对这些捆绑的芯片进行缩减，让本来“宣传”上支持快充的“处理器”没有快充功能，这可能由于1.成本控制的因素 或是2.对自家私有快充技术的拥护，例如OPPO的VOOC。
当然，为了获得更强大的快充技术，不少有追求的厂商不会使用到高通（或联发科）配套的快充芯片组/电路，取而代之的是性能更强的第三方快充管理芯片，例如德州仪器、Fairchild、汉能，具体型号就不列举了，它们在兼容高通QC/联发科PEP之外还拥有更强的功率承载能力。简单来说，我们可以把官方捆绑的快充芯片例如高通PM8994+SMB1357理解为“公版”设计，而使用TI、Fairchild等第三方的芯片理解为“超公版”设计，而阉割了快充芯片，不支持快充（例如只有5v输出）的理解为“缩水”版。
总结
快充涉及到多个方面，而支持快充与否也与处理器无关，更多原因在于处理器周边芯片组的支持，电池、充电器等硬件的配套等等。而随着Type-C口的普及，PD协议的陆续完善，相信快充在未来将会迎来大一统的局面。但毕竟自家协议能通过授权在周边配件市场大赚一笔，加上自家快充的开发成本需要通过市场来分担，看来这个大一统任重而道远啊。
