那么何为物理极限呢？从技术方面来看，随着晶体管尺寸的不断缩小，源极和漏级之间的漏电现像会增大，从而导致晶体管无法正常工作。基于此环境之下，三星推出的3D晶体管技术，很好的解决了此问题，这也使得制程工艺再进一步，从而逐渐达到如今的10nm。
在今年9月份举办的“英特尔精尖制造日”峰会中，英特尔以14nm和10nm制程工艺为例，通过其晶体管密度以及成本对比，再一次体现出了摩尔定律的准确度。英特尔高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监Mark Bohr也表示，在技术层面，英特尔依旧坚守Tick-Tock战略，这也是摩尔定律最好的体现。
摩尔定律的影响
起初，摩尔定律的提出只为预测半导体行业的发展趋势，但是随着其在半导体行业的声名鹊起，外界各行各业对于竞相仿效，从而衍生出多版本的“摩尔定律”，其深远影响使我们的生活获益良多。
在经济方面，随着制程工艺的逐渐提升，晶体管体积也越来越小，但性能却得到了较大的提升，成本也随之不断降低。
在技术方面，摩尔的推演总结将复杂、昂贵的计算普及为生活的必需品，从数据分析，目前这些的创新都源于摩尔的发现。
在社会影响方面，计算的普及改变了我们的生活方式，也推动了科技以及社会的发展，这对于各行各业来说，都是一大幸事。
摩尔定律会否消亡？
事实上，自摩尔定律被推出后，其存亡时间一直是业界所争论不休的话题。以如今来说，当半导体行业无数业内人士发声表示，摩尔定律将消亡时，科技界却爆出一则惊人消息：1nm制程工艺“问世”。这则消息是由劳伦斯伯克利国家实验室传出的，其实验室研究人员阿里·加维表示：“此项研究说明，我们的晶体管将不再局限5nm栅极，如果使用适当的半导体材料，摩尔定律将继续有效。”
据了解，加维所说的适当的半导体材料为二硫化钼，硅材料在栅极长度为5nm甚至更长时，其优势相当明显，但其栅极长度在5nm之下时，将会产生“隧道效应”，从而阻止电流从源极流向漏极。这种情况将会使电子失控，无法达到我们想要的效果。而二硫化钼则有所不同，在此环境之下，它流动的电子更重，所以可以通过更短的栅极来控制电流从源极流向漏极。通过一系列实验测试，劳伦斯伯克利国家实验室研究人员摒弃传统的光刻技术，选择1nm的碳纳米管作为栅极，从而更好的配合二硫化钼晶体管控制其电子流动。
这则实验研究成果再次证明了摩尔定律依旧存在，而从目前来看，似乎摩尔定律的消亡直接取决于半导体芯片制程工艺的物理极限。如果半导体芯片制程工艺未达极限，那么摩尔定律将一直“活着”。其实，摩尔定律虽然源于半导体行业，但并不会终止于半导体行业，其思想与观点奠定了所有现代技术丰富的基础，其创新的相关产品已经完美的与我们生活融合在一起。未来，它将代表一种趋势一直存在于物联网、医疗以及教育等各个领域。
