随着全球信息化浪潮的不断涌起，智能手机、人工智能以及物联网等领域迎来高速发展契机。值此背景之下，其上游存储器芯片产业再遇爆发期，作为生产、消费大国的中国，自然首当其冲，成为存储器芯片大战的主战场。在中国存储器芯片市场风云迭起的同时，“搅局者”的出现正缓缓改变着战场的局势……
美日韩的垄断之势
在全球半导体市场日益扩张的趋势下，芯片市场供不应求之势越发明显，这其中又以存储器市场为最。据统计，2016全球存储器市场容量约800亿美元左右，约占半导体市场的23%，是仅次于逻辑电路的第二大产品。
以目前市场来看，存储器主要分为DRAM和NAND Flash两大类。其中2016年DARM市场容量约414亿美元，NAND Flash约346亿美元。在DRAM方面，全球DRAM价格持续七个季度高涨，是历来涨势最久的一次，据业界人士预测，此涨势将持续至2018年第二季度。在NAND Flash方面，全球NAND Flash产线出现2D向3D转移的现象，且3D NAND 在SSD产品上的应用也日趋增多，至此闪存市场供应得到缓解。
而在供应短缺以及高增长的背后，垄断之势也越发明显。据数据调查显示，仅三星电子、SK海力士、英特尔、美光科技以及东芝半导体等五家美日韩半导体企业，几乎垄断了全球95%左右的存储器市场。
以三星电子为例，据业界人士预估，在三星今年260亿美元半导体资金中，3D NAND Flash约为140亿美元，DRAM约为70亿美元。面对如此“诱人”的存储器市场，三星电子完全无法忍住诱惑。据消息透漏，三星电子计划于2018年将DRAM价格上调5%左右，并且会加大3D NAND Flash技术研发的投入。而且，随着智能手机、人工智能以及物联网需求的增加，3D NAND Flash将得到长足发展。在这种趋势下，中国也开始了布局。
紫光国际“搅局” 破势而出
事实上，在全球存储器市场需求的不断驱动下，中国存储器市场的起色也很明显。为了打破美日韩企业的垄断之势，中国芯片企业并未放弃对半导体的研究。而且随着半导体制程技术的不断衍进，存储器芯片研发难度随之加大，加之3D NAND技术的出现，都为国产存储器厂商弯道超车提供了机会。
