从目前公开的资料看，这个东东早在多年前就已经有理论上的研究突破
【1】2011年，《科学时报》就登载过我国纳米光刻技术研究取得突破
【科学时报】我国纳米光刻技术研究取得突破
日前，中科院光电技术研究所微光刻技术与微光学实验室首次提出基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术。该技术利用微纳结构边际作为掩模图形，对表面等离子体进行有效激发，其采用普通I－line、G－line光源获得了特征尺寸小于30纳米的超分辨光刻图形。
据相关负责人介绍，传统的微光刻工艺采用尽可能短的曝光波长，期望获得百纳米甚至几十纳米级别的光刻分辨率。然而，随着曝光波长的缩短，整个光刻装备的成本也急剧上升。以目前主流的193光刻机为例，其售价为几千万美元。如此高昂的成本严重限制了短波长光源光刻技术的应用。
【2】2015年，成都电视台就报道过光刻机最新进展
成都电视台《成视新闻》栏目组来到中科院光电所微细加工光学技术国家重点实验室，对实验室打造“大国重器”，同时带动产业、惠及民生等科技创新驱动发展情况进行详细报道。
光电所微细加工光学技术国家重点实验室研制出来的SP光刻机是世界上第一台单次成像达到22纳米的光刻机，结合多重曝光技术，可以用于制备10纳米以下的信息器件。这不仅是世界上光学光刻的一次重大变革，也将加快推进工业4．0，实现中国制造2025的美好愿景。
PS．我知道知乎上面不少业内人士可能会认为这些人是吹牛，这些新闻是忽悠，这台机子不可能商用之类的话。诚然这台光刻机还很不成熟，商用前景不明，不过可以预见的是，有了这样的火种，多年以后，光刻机或将被开除出高科技名单，成为喷子口中的“落后技术”
知乎网友：Mcfly
借一张别的答案的图，其实新闻写的很清楚了。
优点：用白菜价的光源只用单次曝光实现了22nm级的光刻。走了和ASML完全不同的技术道路。
缺点：目前还不能用于生产IC。只能用于制造超材料和光学器件。
知乎网友：托马斯
如果这种国产光刻机量产，相对于现在的asml有很大的优势。利用老式的光源，省去一大块光源高昂的采购费用，却能实现比其大部分先进光源还高的分辨率，可以预见会打破现有的半导体设备市场的游戏规则。中国造的光刻机说不定和其他被中国攻克的高科技设备一样，以后也成了白菜价。。
这台设备牛逼之处不在于 “光刻分辨力达到22，因为结合多重曝光技术后，可以用于制造10纳米级别的芯片。”
而在于“该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米”。
asml的193nmArF也被称为申紫外光源。使用193nmArF光源的干法光刻机，其光刻工艺节点可达45nm，采用浸没式光刻、光学邻近效应矫正等技术后，其极限光刻工艺节点可达28nm。
中国科学院光电技术研究所通过通过验收的自主知识产权的光刻机，在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可以用于制造10纳米级别的芯片，如果用193光源会有什么水平？
中科院成都光电所的自主知识产权的22nm精度的光刻机，是有很清晰的发展脉络的，将近七年的时间，一步一个脚印。
