EMC在电子产品／设备已经成为可靠性的重要组成部分；将越来越被重视！特别对于我们的工业＆消费类产品要求满足其相应的认证和出口要求，对应的国家政策也在不断完善；同时国际贸易的深化发展；EMC技术成为电子产品／设备必过的硬性指标！随着电子产品／设备的供电系统都开始大量运用高频开关电源并且也越来越高端化；因此对电源环境的要求就越来越高；EMC将是越来越重要！
电子产品／设备我们经常碰到的EMI的问题；我的讲座及我的公众号都有剖析EMI－传导设计的方案和总结！看过我的文章和听过我的课的电子设计师们；给我的反馈结果；目前碰到EMI问题根据您的EMI滤波器设计法则 确实解决了我们的EMI－传导问题；让非常多的人受益！
电子产品／设备EMI－辐射的问题；大多数的设计者们都没法入门槛！比如我们的电子产品／设备经常会出现30MHZ－50MHZ 特别是30MHZ左右的EMI－辐射问题；有时还兼而有之！我也有进行理论分析；我的《开关电源：EMC的分析与设计》
讲实战方法！
我的分析是基于我近20年的开关电源产品设计和开发进行总结；如果不是有这么多年的开关电源设计经验和对EMI（电磁场的理论）的功底，一般还没有人细致去研究；如果30MHZ左右对大多数的设计来说有很高几率出现那这个30MHZ的频率一定是由器件寄生参数及回路的谐振而产生；亦即：f＝1／（SQRT（2ЛLC）），如果是谐波分量F＝1／（ЛTr）的机制出现几率就会不被关注了！我的文章有进行参数的计算和MOS管具体参数的分析；前面的文章EMI是对频域的分析；如果将频域和时域进行结合起来那么对开关电源系统和EMI的正向设计变得简单！！
我以开关电源系统－FLY为例先了解开关电源的基本知识：
开关电源－FLY原理方案设计如下：
开关电源系统主要器件为：开关MOS管，开关变压器，输出整流二极管；同时这三个器件也是EMI的产生的骚扰源头；开关电源－FLY其变压器的架构都会设计有气隙的磁芯变压器，当主开关器件MOSFET导通时，能量以磁通形式存储在变压器中，并在MOSFET关断时传输到输出端。由于变压器需要在MOSFET导通期间存储能量，磁芯都要有气隙（大部分能量在气隙中），基于这种特殊的功率转换过程，所以FLY反激式变换器可以设计转换传输的功率有一定的限制，但很适用低成本中低功率应用的电子产品＆设备的供电系统的应用！
再来看一下FLY－反激变换器的工作机理如下图：
FLY反激变换器在正常工作情况下，当MOSFET关断时，初级电流（Id）在短时间内为 MOSFET的Coss（即Cgd＋Cds）充电，当Coss两端的电压Vds超过输入电压及反射的输出电压之和（Vin＋nVo）时，次级二极管导通，初级电感Lp两端的电压被箝位至nVout。因此初级总漏感Lk（即Lkp＋n2×Lks）和Coss之间发生谐振，产生高频＆尖峰高压，如MOS管上的过高的电压可能导致产品的可靠性问题。
参考上图：FLY－反激式变换器可以工作在连续导通模式（CCM）和不连续导通模式（DCM）模式下；
当工作在CCM模式时，次级二极管保持导通直至MOSFET栅极导通，而MOSFET导通时，次级二极管的反向恢复电流被添加至初级电流，因此在导通瞬间初级电流上出现较大的电流尖峰；
当工作在DCM模式时，由于次级电流在一个开关周期结束前电流为零，可以实现零电流的开关模式；这个DCM模式下对EMI是有利的；因此我一般是建议电子产品＆设备使用FLY开关电源系统时要设计工作在DCM模式下；但此时会出现Lp和MOSFET的Coss之间发生谐振！以下进行Data分析；
如上图所示的包含寄生元件的FLY变换器结构图，其中Cgs、Cgd和 Cds分别为开关管MOSFET的栅源极、栅漏极和漏源极的杂散电容，Lp、Lkp、Lks和Cp分别为变压器的初级电感、初级电感的漏感、次级电感的漏感和原边线圈的杂散电容，Cj为输出二极管的结电容。
注意：开关MOS－S脚到C1的红色走线与Coss＆ Lkp与Coss的谐振会造成我们30MHZ－50MHZ的频域EMI辐射问题！
在开关管开通瞬间，由于电容两端电压不能突变，杂散电容Cp两端电压开始是上负下正，产生放电电流，随着开关管逐渐开通，电源C1电压Vin对杂散电容Cp充电，其两端电压为上正下负，形成流经开关管和Vin的电流尖峰；
同时Cds电容对开关管放电，也形成电流尖峰，但是此尖峰电流不流经Vin，只在开关管内部形成回路；另外，如果变换器工作在CCM模式时，由于初级电感Lp两端电压缩小，输出二极管D开始承受反偏电压关断，引起反向恢复电流，该电流经变压器耦合到原边侧，也会形成流经开关管和Vin的电流尖峰。
在开关管开通阶段，输出二极管D截止，电容Cp两端电压为Vin，通过初级电感Lp的电流指数上升，近似线性上升。
