10．RCD吸收电路设计分析
RCD是比较常用的吸收电路，主要是吸收漏感的能量以限制开关管上的尖峰电压。相信大家都清楚，RCD如果做的太强的话会对效率有很明显的影响，那自然也会影响轻载效率和待机功耗。
如果考虑到待机状态下电源都是工作在极低频率的Burst状态下的话，实际上C的大小对待机功耗的影响比R要大得多，因为每次C都会充满再放光的。这部分能量就像一个假负载挂在那里 一样，后面用测试Data来进行评估！
从这个角度出发有一种做法是把C彻底拿掉，用一个TVS来代替这样就拿掉了这个假负载！
下面我再来对实际的应用产品进行测试数据给出参考Data！！
说明调测待机功耗时＝与下列参数有关：系统功率接近75W设计！
A．VCC绕组空载的最低电压，辅助绕组的限流电阻（绕组端）决定IC的空载电压过低IC－HV会启动影响待机功耗，过高负载电阻会消耗功耗，推荐10V－VDD；
B．注意TL431的补偿参数的影响
C．PC817B／A： 考虑光耦的电流传输比问题
D．RCD吸收回路中；电容C＝2200PF常用，C略大会增大待机功耗（比如4700PF）
E．MOS管的限流功率电阻：取值要求90VAC输入时 1．3倍的过载保护设计！
最后一项会决定待机的脉冲的间隔时间空载的间隔时间＞10mS（基本要求）
注意检查待机功耗时；25KHZ的的脉冲数要小于5根 空载间隔时间＞10mS
2根脉冲就将待机调到极限！12V输出带10mA负载间隔时间＞5mS（基本要求）
2．实际的数据测试参考（TL431及光耦设计电路标准化）保证可靠性前提！！
A．RCD吸收电路C＝2200PF 电阻R＝100K／2W
CH1：VDD（IC） CH2：DRV（IC）CH3：CS（IC） 5根脉冲；间隔时间14．58Ms
B．RCD吸收电路C＝4700PF 电阻R＝100K／2W
CH1：VDD（IC） CH2：DRV（IC）CH3：CS（IC） 5根脉冲；间隔时间14．38Ms
C．RCD吸收电路C＝2200PF 电阻R＝100K／2W 12V／10mA
CH1：VDD（IC） CH2：DRV（IC）CH3：CS（IC） 5根脉冲；间隔时间5．568Ms
D．RCD吸收电路C＝4700PF 电阻R＝100K／2W 12V／10mA
CH1：VDD（IC） CH2：DRV（IC）CH3：CS（IC） 5根脉冲；间隔时间5．4720Ms
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