近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司成功过会，获得发行上市资格。中微公司成立于2004年，聚焦集成电路领域的等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备和LED芯片领域用薄膜沉积（MOCVD）设备等关键设备的研发、生产和销售，是我国集成电路设备行业的领先企业。
成长之路的艰辛与曲折
中微能有今天的成就，离不开尹志尧十多年的探索和付出。本科毕业于中科大的尹志尧，在拿下北京大学化学系硕士学位之后赴美留学，在加利福尼亚大学洛杉矶分校拿到了物理化学博士学位后，尹志尧进入了美国硅谷工作，先后在因特尔公司、泛林半导体公司、应用材料公司等工作了16余年。
2004年，尹志尧回国创业，创办中微半导体。随后，尹志尧此前就职过的应用材料公司认为其有窃密之嫌，就将中微半导体告上了美国法庭，但应用材料公司没有找到相应的证据，这场官司最终得到和解。
2009年，泛林半导体又状告中微半导体专利侵权，纠缠了四年之久，事件出现了大反转，中微半导体拿出了泛林半导体窃取机密的证据，反告泛林半导体，并取得了胜利。
经历两次失败之后，美国并没有就此罢手，又企图从供应链上来遏制中微半导体的发展。2017年，美国一家LED设备厂商Veeco状告中微半导体的MOVCD石墨托盘供应商侵犯了其专利，要求其停止对中微半导体供货，在这一次的博弈当中，也以Veeco妥协而告终。
面对美国三番两次的打击，中微公司并没有因此而停滞发展的脚步，相反，中微公司在刻蚀设备和薄膜沉积设备领域取得突破性进展，并且一发不可收拾。
打破国外垄断，跻身世界半导体厂商前列
刻蚀设备和薄膜沉积设备是晶圆制造十分重要的设备，此前一直被西方发达国家所垄断，有一段时间还被作为出口管制产品。中微公司打破了这种受制于人的情况，研制出国内第一台电介质刻蚀机，是我国集成电路设备行业的领先企业。
中微公司十多年来一直深耕芯片制造刻蚀领域，其生产的刻蚀设备和MOCVD（有机金属化学气相沉积法）设备代表我国刻蚀和薄膜沉积设备最高技术水平：
2007年推出双反应台Primo D－RIE，适用于65－16纳米工艺节点；
2010年成功开发电感等离子体深硅刻蚀设备Primo TSV，采用双腔设计，支持12英寸和8英寸无缝切换；
2011年推出双反应台Primo AD－RIE，适用于45－7纳米工艺节点；
2013年推出单反应台Primo SSC AD－RIE，适用于45－7纳米工艺节点；并满足16 纳米以下 2D 闪存芯片制造；
2016年首台ICP刻蚀设备产品Primo nanova研制成功；
2017年推出Primo AD－RIE－e，适用于7纳米工艺节点。
去年12月，中微公司自主研制的5纳米等离子体刻蚀机正式通过台积电验证，将用于全球首条5纳米制程生产线，预计将在2020年实现量产。
如今，中微与泛林、应用材料、东京电子、日立4家美日企业一起，成为全球最先进芯片生产线供应刻蚀机企业。
薄膜沉积设备（MOCVD）是一种高端薄膜沉积设备，主要用于蓝绿光LED和功率器件等生产加工，是LED器件加工中最关键的设备。
中微公司于2010 年开始开发MOCVD设备，2012年首台MOCVD设备Prismo D－Blue研制成功、2017年推出第二代设备Prismo A7，目前正在开发第三代更大尺寸设备。
此前，国内市场一直被美国维科（Veeco）和德国爱思强（Aixtron）两家供应商长期垄断，花了短短9年的时间，中微从几乎为零的国内市场占有率到实现超过70％的市场占有率，一举打破长期以来受制于人的局面。
不断突破自我，实力更加强大
纵观中微的发展历程，可以说是充满了曲折与艰辛，但是这些磨难没有阻止中微飞速前进的步伐，反而激励中微不断进行突破，变得更加强大。
到目前，中微凭借自身的实力，拥有一大批客户，刻蚀设备的主要客户有台积电、中芯国际、联电、SK海力士、长江存储、意法半导体等，薄膜沉积设备主要客户包括三安光电、璨扬光电、华灿光电、乾照光电。
目前，全球集成电路产业正在向中国转移，中国也越来越重视集成电路的发展，将其视作国家战略并出台了一系列的优惠政策，如今科创板过会，中微公司将获得等多资金来投入研发，在此大好机遇下，中微有望成为一个国际一流的半导体装备制造企业。
