随着美国商务部工业和安全局把华为列入“实体名单”，以及火遍网络的海思半导体的公开信，使芯片技术的国产化，再次成为大众的焦点。
而韩国由于曾遭受来自美国、日本等先发者的追击，并从零基础成为全球行业内的第一梯队，韩国经验受到国内业界的广泛关注。
韩国半导体产发展的封锁经历
上世纪70年代，三星在韩国首次提出将开发芯片，并期望通过引入美国镁光、日本三菱等企业的技术，但当时日本三菱得知三星将开发芯片产业时，大多数从业者认为对于GDP水平较低的韩国，半导体产业并不适合。
日美两国对于三星并不配合，甚至美方一度宣布将向韩国生产的半导体施加反倾销关税，并限制韩国芯片对外出口；而施加反倾销关税以后，每生产一片芯片，三星甚至需要倒贴1美元，而直到三星第一代创始人李秉哲去世，三星电子的半导体事业部还处在3亿美元的亏损。
日、美是最早做芯片的两个国家，基本垄断了整个市场，当时三大存储器制造商是美国镁光、日本三菱、日本夏普。经过不断的努力，截至2018年底，三星电子和SK海力士两大韩系制造商在2018年存储类半导体的全球市场占有率为74．6％。
从组装到本土化生产
1959年，LG公司的前身“金星社”研制、生产出韩国的第一台真空管收音机，这也被认为是韩国半导体产业的起源。但当时的韩国并没有自主生产能力，只能对进口元器件进行组装。
20世纪60年代中期开始仙童半导体和摩托罗拉等美国公司越来越多地投资于东南亚等低价劳动力国家，以降低其生产成本，韩国从这一趋势中获益，但仅停留在经济层面。
为此，韩国政府在1973年宣布了“重工业促进计划”（HCI促进计划），旨在通过重工业和化学工业发展来建立一个自给自足的经济。1975年，韩国政府公布了扶持半导体产业的六年计划，强调实现电子配件及半导体生产的本土化。
韩国政府还组织“官民一体”的DRAM（目前最为常见的内存之一）共同开发项目，即通过政府的投资来发展DRAM产业。
在半导体产业化的过程中，韩国政府推进“政府＋大财团”的经济发展模式，并推动“资金＋技术＋人才”的高效融合。在此过程中，韩国政府还将大型的航空、钢铁等巨头企业私有化，分配给大财团，并向大财团提供被称为“特惠”的措施。
20世纪80年代韩国工业的发展得益于HCI促进计划，由于如此庞大的资源集中于少数财团，他们可以迅速进入资本密集型的DRAMs生产，并最终克服生产初期巨大的财务损失。
美日贸易冲突为韩国企业带来机会
三星电子1984年成立了一家现代化的芯片工厂，用于批量生产64K DRAM。1984年秋季首次将其出口到美国。1985年成功开发了1M DRAM，并取得了英特尔“微处理器技术”的许可协议。
此后三星在DRAM上不断投入，韩国政府也全力配合。由韩国电子通信研究所牵头，联合三星、LG、现代与韩国六所大学，“官产学”一起对4M DRAM进行技术攻关。该项目持续三年，研发费用达1．1亿美元，韩国政府便承担了57％。随后韩国政府还推动了16M ／ 64M DRAM的合作开发项目。
1983年至1987年间实施的“半导体工业振兴计划”中，韩国政府共投入了3．46亿美元的贷款，并激发了20亿美元的私人投资，这大力促进了韩国半导体产业的发展。
在1987年，世界半导体市场还出现另一个机会，这源自美国和日本之间的半导体贸易冲突以及随后的政治调控。1985年以后，日本DRAM生产商市场份额的增加，被认为是牺牲了美国生产商的利益，美日之间的贸易冲突日益加剧。
