EUV工艺加持,三星表示DDR5内存明年量产

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近日三星宣布,他们将在2021年正式开始量产DDR5内存,并且使用EUV工艺,制作将会在韩国平泽的新工厂进行。

EUV光刻和现在常用的DUV光刻不同,它使用波长短得多的极紫外光,这就让更精细的光刻成为可能,允许制作更小的晶体管,提升工艺水平,并提升生产效率;三星预计,使用EUV工艺生产DDR5内存,其12英寸D1a晶圆的生产效率会比旧有的D1x工艺的生产力提升一倍,让产能不再是问题。

此外,三星还宣布第一批采用EUV工艺的DDR4内存已经出货了100万了,而旗下第四代10nm级(D1a)DRAM或高端14nm级DRAM在未来也会全面导入EUV技术,明年会使用D1a工艺大规模量产DDR5和LPDDR5芯片,预计会使12英寸晶圆厂的生产效率翻倍。

DDR5内存的标准是在2019年发布的,标准带宽是32 GBps,此前Micron则展示了一个DDR5 DRAM的原型,这块DDR5演示模型速率达到了4400 MT/s,根据JEDEC组织的roadmap显示,未来DDR5内存的最高频率可以达到6400 MT/s。

根据英特尔和AMD的路线图,各自下一代服务器产品Ice Lake-SP Xeon和EPYC Milan(Zen3)还都是只支持DDR4内存了,在往后的Sapphire Rapids Xeon和EPYC Genova才会获得对DDR5内存的支持,但全都要道2021年以后。至于民用消费级平台何时能够普及DDR5,那是更有的等了。

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