三星首推EUV工艺DRAM内存,台积电注意了

OFweek电子工程网 中字

当地时间3月25日,三星电子宣布,将推出业内首款采用极紫外光刻技术(EUV)设计的DRAM内存模块。

作为全球领先的内存制造商之一,三星表示,全球客户对其首批100万个10nm级DDR4 DRAM模块的评价还不错,三星将很快开始处理全球分销的订单。

EUV技术令内存模块的制造更加精确和快速。它通过减少重复步骤的次数来加速光刻过程,并促进复杂芯片图案的生产。意味着芯片性能精度会更高、开发时间会更短。

三星并不是唯一一家专注于EUV技术的公司。台积电去年就开始使用EUV技术生产其7nm N7+芯片。根据公司的测试,这些芯片可以容纳高达20%的晶体管密度,比使用氩氟化物激光光刻技术制造的老式N7芯片少10%的功耗。

英特尔在近20年前就开始探索EUV工艺,英特尔目前正在为其新芯片生产线做准备。去年夏天,英特尔的EUV研究员兼主管布里特·图尔科特(Britt Turkot)说,工程师们在设计使用EUV的生产系统时面临挑战,原因是它的复杂性和成本。芯片制造公司将需要建造新的设施来处理新技术。

三星将在未来所有DRAM芯片上使用10nm EUV技术。这将包括基于d1的16GB DDR5和用于电脑的LPDDR5内存芯片,预计将于2021年投入生产。它还包括用于智能手机的LPDDR4X RAM芯片。

三星DRAM部门执行副总裁李俊白Jung-bae Lee表示:“随着我们基于EUV技术的新DRAM的量产,我们正在兑现为IT界提供革命性的DRAM解决方案的承诺。”

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