日前，SK海力士半导体宣布已开始大规模量产其新一代高速DRAM显存HMB2E，而距离公司于去年8月开始研发新产品，才刚刚过去10个月。
海力士的HBM2E据称拥有每秒460GB以上的带宽， 共拥有1024个 I/Os（输入/输出），具备每pin 3．6Gbps的速度性能。它是业内目前最快的DRAM存储方案，能够每秒传输124部FHD（全高清）电影（3.7GB /部）。
HBM2E通过TSV（硅打孔技术）技术垂直叠加8个16GB芯片，芯片容量达16GB，比上一代HBM2增加了一倍多。
海力士表示，HBM2E具有高速、大容量、低功耗的特性，是下一代人工智能系统的最佳内存解决方案，包括深度学习加速器（ Deep Learning Accelerator ）和高性能计算（High－Performance Computing）等需要高水平计算性能的AI研发。
此外，HBM2E预计将被应用于百万兆级的超级计算机，这是一种高性能计算系统，能够进行每秒百亿亿次的计算，在下一代基础科学和应用科学的研究中，例如气候变化、生物医学和空间探索，将发挥决定性作用。
SK海力士执行副总裁兼CMO Jonghoon Oh表示：“一直以来，海力士都走在科技创新的最前沿，其成就包括全球首个HBM产品的开发。而随着HBM2E的大规模生产，我们将继续加强我们在高端内存市场的存在，并领导第四次工业革命。”
