8月4日，澜起科技公布了投资者调研报告，就公司目前在研项目、研发进度及预计量产时间、DDR5相关配套芯片等方面的问题进行了回复。
关于公司目前在研项目方面，澜起科技表示，公司目前在研项目主要有三大类：1、接口类芯片。包括DDR5内存接口芯片及与其配套芯片（串行检测芯片（SPD）、温度传感器（TS） 、电源管理芯片（PMIC））；PCIe 4．0 Retimer芯片。2、津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。3、人工智能芯片。
据了解，澜起科技已于2019年完成符合JEDEC标准的DDR5第一代RCD及DB芯片工程样片的流片，这些工程样片于2019年下半年送样给公司主要客户和合作伙伴进行测试评估，公司计划在2020年完成DDR5第一代内存接口及其配套芯片量产版本芯片的研发，实际量产时间取决于服务器生态的成熟度。 DDR5内存模组的配套芯片，将与DDR5内存接口芯片、DDR5内存颗粒一起组成DDR5内存模组整体解决方案。
至于量产时间，澜起科技表示，根据行业普遍预测，DDR5第一代预计量产时间为2021年底到2022年上半年。
据披露，澜起科技目前合作的晶圆代工厂商主要是台积电和富士通电子，合作的封装测试厂商主要是星科金朋和矽品科技。
21ic家注意到，澜起科技是一家成立于2004年的国内知名集成电路设计公司，在内存接口芯片市场深耕十余年，先后推出了DDR2、DDR3、DDR4、DDR5系列高速、大容量内存缓冲解决方案，以满足云计算数据中心对数据速率和容量日益增长的需求。
所谓内存缓冲芯片，是内存模组（又称内存条）的核心器件，作为CPU存取内存数据的必由通路，其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性，以匹配CPU日益提高的运行速度及性能。内存缓冲芯片需与内存厂商生产的各种内存颗粒和内存模组进行配套，并通过CPU厂商和内存厂商针对其功能和性能（如稳定性、运行速度和功耗等）的严格认证，才能进入大规模商用阶段。具有较高的技术门槛，实现成功量产此类芯片的厂商并不多。据了解，澜起科技的DDR4内存缓冲产品已成功进入全球主流内存、服务器和云计算领域，占据国际市场的主要份额。
除了DDR类内存缓冲芯片外，自2016年以来，澜起科技与清华大学、英特尔合作，研发出了津逮系列服务器CPU及其平台，为数据中心提供高性能、高安全、高可靠性的CPU、混合安全内存模组等产品。
