日前，三星电子宣布，由三星为业内最先进工艺节点专门研发的硅验证3D IC封装技术，eXtended－Cube，简称为X－cube，已经可以投入使用。
X－cube运用了三星的硅通孔技术（TSV），在速度和功率效率方面实现了重大飞跃，能够满足包括5G、AI、高性能计算、移动和可穿戴设备在内的下一代应用对性能的严格要求。
“即使是在尖端EUV工艺节点中，三星新一代3D封装技术也能确保稳定的TSV互联。”三星电子Foundry市场战略部高级副总裁Moonsoo Kang说道，“未来，三星电子会实现更多3D IC技术创新，推动半导体产业发展。”
在三星X－Cube技术加持下，芯片设计者在构建定制方案时能以更高的灵活性去满足客户独特的需求。以7nm工艺生产的X－cube试验芯片利用TSV技术，将SRAM堆叠在单一的逻辑裸片（die）上，为在更小的面积内封装更多内存空出了空间。此外，运用3D集成技术，这种超薄的封装设计缩短了裸片间的信号路径，实现了数据传输速度以及能效的最大化。同时，客户也可以根据自己的需求对内存带宽和密度进行调节。
三星方面表示，目前，X－Cube封装方案已经可以投入实际使用，对7nm和5nm制程芯片都适用。在初始设计之上，三星还计划和全球范围内的Fabless客户继续合作，以推进3D IC方案在下一代高性能应用中的使用。
这项技术的更多细节将在一年一度的热门芯片大会（Hot Chips）上披露，今年大会的召开时间为8月16－18日。
