将芯片从2D平铺封装改成3D立体式堆叠式封装已经成为目前半导体业界的共识，这种在第三维度上进行拓展的封装技术能够有效降低整个芯片的面积，提升集成度。目前业界领头羊都在3D封装技术上面努力着，前有台积电的CoWoS（实际上是2．5D），后有Intel的Foveros，现在三星也公布了自家的3D封装技术，名为X－Cube。
今天早些时候，这家韩国科技巨头表示，其新的 X－Cube 3D IC芯片封装技术已经可以使用，该技术可以同时提供更快的速度和更好的能源效率。
三星的合同芯片制造部门三星晶圆厂已经完成了使用 X－Cube 术的测试芯片的生产，新的 3D 集成电路芯片封装技术现在已经可以用于制造 7 纳米和 5 纳米芯片。新技术可以实现多个芯片的超薄堆叠，以制造更紧凑的逻辑半导体。该工艺使用通硅通 （TSV）技术进行垂直电连接，而不是使用导线。
三星宣称，芯片设计师可以利用其 X－Cube 技术设计出最适合自己独特需求的定制芯片。由于采用了 TSV 技术，芯片中不同堆栈之间的信号路径大大减少，提高了数据传输速度和能源效率。各种逻辑块、存储器和存储芯片可以相互堆叠，以创造更紧凑的硅封装。
三星公司表示，这项技术将用于 5G、AI、AR、HPC（高性能计算）、移动和 VR 等领域。据了解，三星代工厂将在 8 月 18 日至 8 月 20 日举行的 Hot Chips 2020 博览会期间展示其新技术。此外，三星还在努力改进 5nm 工艺，跳过 4nm，在不久的将来开发 3nm 技术。
