最新款PCIe 4．0主控芯片解决方案展现绝佳性能和超低功耗，连续读写速度高达每秒7，400／6，800MB。
【2020／10／21，台北及美国加州讯】全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌——慧荣科技（NasdaqGS：SIMO）（“Silicon Motion”），今日宣布推出一系列最新款超高性能、低功耗的PCIe 4．0 NVMe 1．4主控芯片解决方案以满足全方位巿场需求，包括专为高端旗舰型Client SSD设计的SM2264、为主流SSD市场开发的SM2267，以及适用于入门级新型小尺寸应用的SM2267XT DRAM－Less主控芯片。
慧荣科技最新款SSD主控芯片解决方案符合PCIe 4．0 NVMe 1．4规范，完美展现Gen4的超高性能和低功耗特性，结合慧荣独家的错误码纠错（ECC）技术、数据路径和EMI保护，提供完整、稳定的数据保护，满足存储设备所需的高效稳定需求。全球已有10家重量级客户，包括NAND大厂和SSD OEM采用慧荣科技的Gen 4主控芯片搭载3D TLC或QLC NAND推出新品。
市调公司TrendFocus副总裁Don Jeanette表示：“众所皆知慧荣科技长期以来一直是SSD主控芯片技术的领导者。在Gen 4规格日渐受到市场重视的同时，该公司于此时推出新品正好抓住最好的时机，而未来几年Gen 4势必成为PC、游戏机及其他消费级设备的标准规格。”
慧荣科技总经理苟嘉章表示：“PCIe Gen4将SSD的性能往上推升到另一个层次。我们最新款的PCIe 4．0 SSD主控芯片为消费级SSD应用提供一套完整的解决方案，能满足全球PC OEM和SSD模块领导厂商的长远需求。目前，多家OEM大厂客户已开始导入我们最新款的Gen 4 SSD主控芯片在他们的新品开发中，其中已搭载SM2267主控芯片的SSD已进入量产阶段。”
针对高性能和车用等级的PCIe Gen 4解决方案：SM2264支持Gen4×4通道、8个NAND通道设计
SM2264主要瞄准高性能和车用级SSD应用，搭载四核心ARM®Cortex®－R8 CPU，内含四个16Gb／s PCIe数据总线，并支持八个NAND通道，每个通道最高可达每秒1，600 MT。SM2264的先进架构采用12nm制程，能够大幅提升数据传输速率、降低功耗并提供更严密的数据保护，连续读写性能最高可达7，400MBs／6，800 MBs，随机读写速度最高达1，000K IOPS，提供使用者前所未有的超高性能体验。ARM® Cortex®－R8架构提供高速多线程处理能力，可满足新一代存储应用所需的混合工作负载作业需求。SM2264搭载慧荣科技最新第7代NANDXtend®技术，结合慧荣科技专利的最新高性能4KB LDPC纠错码（ECC）引擎和RAID功能，为最新一代的3D TLC和QLC NAND提供极佳的错误纠错能力。内建SR－IOV功能的SM2264也是车用级存储装置的理想选择，最多可同时为八台虚拟机（VM）提供直接的高速PCIe接口。SM2264目前进入客户送样阶段。
针对主流和入门级PCIe Gen 4的解决方案：SM2267支持Gen4×4通道、4个NAND通道设计；SM2267XT支持Gen4×4通道、4个NAND通道、DRAM－less
慧荣科技的SM2267和SM2267XT满足主流消费级和高性价比SSD应用需求，具备四个 16Gb／s通道的PCIe和四个NAND通道，每个通道的最高速度为1，200MT／s，而连续读写性能更可高达每秒3，900／3，500MB。SM2267包含DRAM接口，而SM2267XT DRAM－less主控芯片可在不影响性能的前提下，满足小尺寸的产品设计需求。两者均搭载NANDXtend® ECC技术，并支持最新一代3D TLC和QLC NAND，提供高性能、高可靠性，最符合经济效益的PCIe NVMe SSD解决方案。SM2267和SM2267XT已进入量产阶段。
更多SSD主控芯片解决方案相关信息请上慧荣官网。
关于慧荣
慧荣科技（Silicon Motion Technology Corp．，NasdaqGS：SIMO）是全球最大的NAND闪存主控芯片供货商，同时也是SSD主控芯片的市场领导者。我们拥有最多的主控芯片解决方案及相关技术专利，主要使用于智能手机、个人计算机、消费性和工业级应用的SSD及eMMC＋UFS等嵌入式存储装置。在过去十年累绩出货量超过60亿颗，居业界之冠。我们同时提供大型数据中心企业级SSD与工业级SSD解决方案。客户包括多数的NAND闪存大厂、存储装置模块厂及OEM领导厂商。慧荣于2005年在美国NASDAQ上市。
