最近Techinsights举办了一场关于存储技术的网络研讨会，Jeongdong Choe博士介绍了他对最新的DRAM，NAND，新兴和嵌入式存储器技术的观察与分析。
以下概述了讨论的相关主题。
DRAM
三星，美光和SK hynix等主要DRAM厂商已经生产出缩小至15 nm设计规则（D ／ R）的DRAM单元。现在，他们正在开发n ＋ 1和n ＋ 2世代，即所谓的1a（或1α）和1b（或1β），这意味着采用EUV的DRAM单元D ／ R可能能够进一步缩小至12nm以下。由于图形化，漏电流和感测裕度的挑战，单元尺寸微缩的速度越来越慢。
Graphic DRAM和高带宽内存（例如GDDR6（X）和HBM2（E））采用20 nm或10 nm级的DRAM技术节点。
通过在模块中添加低功耗DRAM芯片，智能手机上的相机模块实现了三颗芯片的堆叠。
在先进的DRAM产品中可以看到一些创新，例如高k介电材料，柱形电容器，凹槽沟道LV晶体管和HKMG外围晶体管。
展望DRAM技术趋势和研发路线图，DRAM微缩将在未来10多年中持续进行。
NAND
随着主要NAND制造商争相增加3D NAND堆叠层的数量，他们都已经推出了自己的96L或128L 3D NAND芯片。三星128L V－NAND（V6），KIOXIA和Western Digital Company（WDC）96L BiCS4，Intel ／ Micron 96L ／ 128L和176L FG CuA以及SK hynix 128L 4D NAND PUC产品已投放市场。我们将讨论该领域中许多创新的变化。
除了存储密度之外，3D NAND还应用于高速SSD，例如三星Z－SSD和具有多plane的并行KIOXIA XL－FLASH。
SK hynix已达到147层垂直存储单元堆叠；我们将探讨他们的解决方案以及美光的解决方案。
嵌入式和新兴存储技术
尽管Micron的X100 SSD目前仅可用于附加卡（AIC），但Intel不仅将XPoint内存应用程序扩展到常规SSD，而且还扩展到了Intel Optane非易失内存。
Everspin已经发布许多新型pMTJ MRAM产品（第三代，1GB ／芯片基于 28nm工艺），Avalanche／Renesas（40纳米）和三星／索尼（28FDS）。Dialog（先前为Adesto）的第二代ReRAM（CBRAM）产品也已上市。
技术路线图
本演示文稿中还包括Techinsights对当前和将来的DRAM，NAND和新兴／嵌入式存储器技术分析，趋势和路线图，这些内容通常仅供我们的存储器用户使用。
以下是研讨会的演示文稿。
