案例详解:失调电压的影响方式

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如图2.2,以ADA4077-1 SOIC封装 B级芯片为例,在25℃环境中,供电电压为±15V,失调电压最大值为35μV,失调电压漂移最大值为0.25μV/℃。当芯片温度上升到75℃时,将参数代入式2-3计算失调电压变化为47.5μV。

图2.2 ADA4077失调电压与温漂

(2)变量为时间,单位是μV/Mo,表示失调电压每月变化多少微伏。代表放大器在长期工作中失调电压的稳定性。

如图2.18,ADA4077数据手册提供实测10000小时失调电压漂移。工程师以此模拟系统长期运行,可以评估在设备长期工作中放大器失调电压的稳定情况。

失调电压漂移是放大器电路设计中难以处理的参数,因为它的存在随时会产生新的失调电压,所以常见的处理方法是使用失调电压漂移参数小的放大器。

图2.18 ADA4077实测10000小时的失调电压长期漂移

3.失调电压产生原因

(1)输入级的制造工艺

放大器输入失调电压的产生,主要由于输入级对称三极管晶圆的不匹配所导致。如图2.13,三极管(Q1,Q2)的匹配度,在一定范围内和晶圆面积的平方根成正比,就是说匹配度提高到原来的两倍,晶圆面积就是原来的四倍。当达到一定水平后,增加晶圆面积也不能改善输入失调电压,另外增加面积会直接增加芯片的制造成本。所以,常用的方法是在放大器生产后再进行测试与校准,或者在输出级使用斩波等技术改善放大器的失调电压。

图2.13 放大器输入级电路

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