Memory type选择简单双口ram，memory size设置位宽8bit深度1024。
设置完成后，生成的module声明如下。（完整模块可参考代码）
然后编写顶层文件并且在顶层例化PLL和RAMA、RAMB。
顶层文件中主要是对ram的输入口进行时序操作，包括ramA、ramB的读地址，写地址、使能信号和输入输出数据，详细代码笔记中不再赘述，可以直接参考代码。
可综合模块编写完成后，编写仿真模块并使用仿真软件进行仿真。
由于本次工程使用到了安路的IP库，因此也需要在modelsim中添加相应的安路仿真库，添加方法如下：
首先在modelsim的安装目录下面编辑modelsim的初始化文件modelsim．ini，右键属性后，将它的只读属性取消，然后用文本文件（本工程使用的是notepad＋＋）编辑。
在modelsim．ini的［library］列表下添加安路的仿真库文件目录，安路所有的仿真库文件都在安路的编译软件TD安装目录下的sim文件夹中，此处将其所有的库文件都复制进了modelsim的文件夹里，若不复制，也可直接输入安路文件夹的路径。
保存后退出，打开modelsim并创建工程，编译通过后，进入仿真步骤，在simulate状态栏下选择start simulate，如下图：
选择后进入到如下页面：
选择仿真的顶层并且关闭优化选项。
同一个窗口打开libraries页面并在search libraries栏右侧选择add，下拉列表选择对应的ef3的库文件。
设置完成后点击OK进入仿真即可。
本次实验中遇见问题和调试如下：
01
刚开始pll没有输出信号，因此打开了pll查看波形发现pll波形如下：
发现是置位了reset信号导致的，查看代码发现如下：
复位信号直接连接到了pll的置位信号，由于复位信号是低电平有效而置位信号是高电平有效，因此导致了pll一直处于复位的情况。更改后，直接将pll复位信号置0，代码和仿真结果正常，如下所示：
02
PLL问题解决后，观测数据整体读写情况。
初步观测可以发现，rama读使能信号只转变了一次，而ramb的读使能始终未能跳变，返回代码查看发现：
逻辑判断时未将rama的写使能信号置1的条件写出来。
ramb的写使能同理：
修改后，代码如下：
波形仿真如下：
粗看基本符合rama、ramb交替读写的功能，观测rama、ramb时序交替细节。
在rama和ramb写使能信号转换时，发现空了一拍，再查看代码，发现rama、ramb写使能在条件判断时，使用的判断逻辑是不一样的，导致ramb＿wren的置位会在rama＿wren置位后的下一拍进行。
因此更改ramb＿wren的判断条件，使之与rama＿wren的一样，都以写地址为条件判断再仿真。
可观测到，时序正常。
quick start ＆ GPIO Demo
本次demo实现功能如下：FPGA控制LED D1闪烁，MCU控制LED D2常亮。
