前言:
今年全国两会召开,恰逢“十四五”规划开局之年,科技创新再度被力挺。
作者 | 方文
第三代半导体两会关键词之一
近日,全国两会落下帷幕,第三代半导体成为了两会的关键词之一。第三代半导体是国家2030规划和“十四五”国家研发计划确定的重要发展方向,被视作我国半导体产业弯道超车的机会。
早前,政府工作报告中曾强调“坚持创新在我国现代化建设全局中的核心地位,把科技自立自强作为国家发展的战略支撑”。在去年的中央经济工作会议上,政府部门也已明确要增强科技自主,解决“卡脖子”问题。
“十四五”规划对半导体产业链各个关键“卡脖子”环节将重点支持,主要包括先进制程、高端IC设计和先进封装技术、关键的半导体设备和材料、第三代半导体等领域。
除了第三代半导体,集成电路EDA、半导体材料、半导体器件及半导体设备等多个细分领域都被市场密切关注。其中,从行业特点来看,EDA处在产业最上游,研发周期长、见效慢,是容易被“卡脖子”的领域。
纲要侧重点
新华社发布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》。
纲要中集成电路领域称要取得碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体的发展。第三代半导体行业的触角向5G基站、特高压、城际高铁交通、新能源充电桩等关键领域延伸,我国半导体行业发展风口已至。
对于第三代半导体领域,各国的研究和水平差距不大,而国内多数专家也对我国第三代半导体的发展持积极态度,第三代半导体材料或许可以成为我们摆脱集成电路被动局面,实现芯片技术追赶和超车的良机。
据报告,2018-2022年SiC及GaN功率组件市场规模,SiC和GaN自2020年起市场规模呈上升趋势。预期2021年GaN通讯及功率器件营收分别为6．8亿和6,100万美元,年增30．8%及90．6%;SiC器件部分,预估2021年SiC器件于功率领域营收可达6．8亿美元,年增32%。
《纲要》指出,以国家战略性需求为导向推进创新体系优化组合,加快构建以国家实验室为引领的战略科技力量。聚焦量子信息、光子与微纳电子、网络通信、人工智能、生物医药、现代能源系统等重大创新领域组建一批国家实验室,重组国家重点实验室,形成结构合理、运行高效的实验室体系。
《纲要》提到制定实施战略性科学计划和科学工程。瞄准人工智能、量子信息、集成电路、生命健康、脑科学、生物育种、空天科技、深地深海等前沿领域,实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。
其中,集成电路攻关方面,《纲要》指出,集成电路设计工具、中电装备和高纯靶材等关键材料研发、集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS)等特色工艺突破,先进存储技术升级,碳化硅、氮化镓等矿禁带半导体发展。
