前言:
韩国近期启动「X-band GaN国家计划」冲刺第三代半导体,三星积极参与冲刺第三代半导体布局,也点燃半导体业新战火。
作者 | 方文
图片来源 | 网 络
半导体材料演进历程
第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半导体的产业园。
第二代材料是砷化镓(GaAs),为4G时代而生,目前的大部分通信设备的材料。
第三代材料目前比较成熟的有碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等,未来5G时代的标配。
第三代半导体是5G、人工智能、工业互联网等多个“新基建”产业的重要材料,同时也是世界各国半导体研究领域的热点。
根据《2020年第三代功率半导体报告》所统计,到2020年底,全球SiC 和GaN功率半导体的销售收入预计将从2018年的5．71亿美元增至8．54亿美元。
未来十年的年均两位数增长率,到2029年将超过50亿美元。
韩国政府出手欲抢占先进功率半导体市场先机
近日,韩国政府发布了一份先进功率半导体研发和产能提升计划。
目前韩国国内市场规模约为20亿美元,由于缺乏技术和专利,90%以上的市场需求依赖进口。
韩国政府计划到2025年将市场竞争力提升到全球水平,以便到那一年韩国至少有5种先进的功率半导体产品上市。
政府计划积极支持研发和基础设施建设,以抢占仍处于早期阶段的下一代功率半导体市场,并建立一个坚实的产业生态系统。
如此一来,韩国加入美国、中国和日本等国家的行列,均宣布促进本土芯片产业发展的政策,包括功率半导体的制造。
致力于SiC、GaN、Ga2O3三种材料的应用技术和技术,克服硅酮材料的局限性,协助国内企业的材料和芯片研发工作。
韩国产业通商资源部在一份声明中表示,将与韩国国内的代工厂建立6 - 8英寸的制造工艺,以扩大相关的代工服务。
韩国无线通信设备半导体企业RFHIC(艾尔福)被选定为课题牵头企业,SK Siltron将参与SiC基板/GaN树脂的制作,LIG nex1负责系统的验证,韩国电子通信研究院(ETRI)的半导体工厂将被用来进行GaN MMIC的制作。
而在早前4月1日,韩国政府曾召开会议,发表了“下一代功率半导体技术开发及产能扩充方案”,宣布将正式培育下一代功率半导体技术。
韩国近年来在第三代半导体方面动作频频
2000年韩国制订了GaN开发计划,政府在2004～2008年投入4．72亿美元,企业投入7．36亿美元以支持韩国进行光电子产业发展,使韩国成为亚洲最大的光电子器件生产国。
2009年韩国发布《绿色成长国家战略》,全力发展环保节能产业,并致力于使得该产业成为韩国经济增长的主要动力之一。
2010—2012年间投入约4500万美金以推动MOCVD机台实现国产化、引进制程自动化系统并开发高速封装、监测设备。
韩国围绕Si基GaN和SiC器件启动功率电子国家项目,同时重点围绕高纯SiC粉末制备、高纯SiC多晶陶瓷、高质量SiC单晶生长、高质量SiC外延材料生长4个方向,开展了国家研发项目。
韩国产业通商资源部(MOTIE)举办研讨会,为了强化系统半导体的竞争力,产、官、学三界联手投资4645亿韩元(4．15亿美元),开发低能源、超轻量和超高速的半导体芯片。
这当中1326亿韩元用于开发先进超轻量传感器、837亿韩元投入低耗能的SiC功率半导体,47亿韩元投资超高速存储器和系统整合设计技术。
2021年,韩国政府对第三代半导体的发展越来越重视,仅是这三年便实施了多项举措,特别是在汽车半导体、5G领域。
最近更是传出三星有意收购一家汽车半导体大厂,目标可能包括恩智浦,德州仪器,微芯和亚德诺等公司。
