近日，IBM宣布制造出全球首款以2nm工艺打造的半导体芯片。该芯片与目前主流的7nm工艺相比，在同等电力消耗下，性能提升45％、能耗降低75％。
据悉，本次IBM所采用的使GAA技术，也就是环绕栅极晶体管技术。根据IBM介绍，这是首次采用底介电隔离通道，可以使实现12nm的栅长，可以减少电流泄漏，有助于减少芯片上的功耗，其内部间隔是第二代干法设计，有助于纳米片的开发。IBM芯片采用了三层GAA纳米片，每片纳米片宽40nm，高5nm，间距44nm，栅极长度12nm。
根据提供的数据来看，台积电的5nm芯片每平方毫米约有1．73亿个晶体管，三星的5nm芯片每平方毫米约有1．27亿个晶体管，IBM 2nm晶体管密度达到了台积电5nm的2倍，预计比台积电3nm工艺的晶体管密度还要多。
其实，IBM在7nm和5nm领域都具备相当优势的主导权，并均实现量产。不过IBM目前并没有自主的晶圆厂，如果此款2nm工艺的芯片想要顺利落地，也需要三星、Intel等代工厂的帮助。
