众所周知,光刻机是卡住国产芯片制造的重要设备之一。目前国内的芯片制造企业们,使用的光刻机绝大部分是ASML进口,还有部分是从佳能进口的。
特别是高端一点的光刻机,比如193nm ArF浸润式光刻机,可用于14nm,就只能从ASML进口。至于通够用于7nm及以下工艺的EUV光刻机,只有ASML能生产,并不能卖给中国大陆厂商。
而国产最强的光刻机是上海微电子生产的 SSX600,最高的精度还处在90nm,即90nm以下的芯片制造,就必须要进口光刻机了。
所以如何将国产光刻机的技术提升上来,达到当前国产芯片的制造水平,已经是迫不及待的问题了,不说EUV,好歹来个DUV光刻机,也就是193nm ArF浸润式光刻机吧,这样至少能够撑到7nm以上。
之前有各种说法,基本上都是讲上海微电子的DUV光刻机快要出来了,能够支持到28nm工艺,但后来基本被证实不太靠谱,因为没有按照之前的时间发布。
而近日,国外媒体Verdict又来了一个最新的振奋人心的报道,称“中国国产28nm DUV光刻机计划在今年年底前从上海微电子(SMEE)生产出来。”
并且表示,这台设备能够用于制造48nm-28nm芯,另外还表示到2023年,上海微电子的光刻技术,将用于制造20nm的5G芯片。
有图有真相
当然,鉴于这个消息并不是官方消息,也不一定是真的,但相信绝大部分人都愿意相信这是真的,因为一旦真的可以搞定DUV光刻机,用于28nm工艺了,那么也就意味着在28nm这个阶段,差不多可以实现全国产了,这是中国芯的一大步啊。
那么接下来,就看看年底能不能推出DUV光刻机,用于28nm了,让我们拭目以待吧,希望这次不是假的。
