华为公开“半导体器件”相关专利

OFweek电子工程网 中字

近日,据天眼查显示华为技术有限公司公开“半导体器件及相关模块、电路、制备方法”专利,公开号CN113054010A,申请日期为2021年2月。

image.png

专利摘要显示,本发明实施例公开了一种半导体器件及相关模块、电路、制备方法,该器件包括:N型漂移层、P型基极层、N型发射极层、栅极、场截止层和P型集电极层等,其中,场截止层包括依次层叠于N型漂移层的表面的第一掺杂区和第二掺杂区,第一掺杂区的杂质的粒子半径小于第二掺杂区的杂质的粒子半径,第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂浓度均高于N型漂移层的掺杂浓度。上述半导体器件,可以有效降低IGBT的集电极与发射极之间的漏电流。

image.png

据悉,IGBT技术多用于功率半导体,对于华为而言,在其汽车研发和光伏逆变器等产品上要用IGBT技术。有业内人士认为,在功率器件中,进行多次外延,在衬底的基础上增加不同掺杂元素和不同厚度的外延层,用于改善极间漏电流。

声明: 本网站所刊载信息,不代表OFweek观点。刊用本站稿件,务经书面授权。未经授权禁止转载、摘编、复制、翻译及建立镜像,违者将依法追究法律责任。
侵权投诉

下载OFweek,一手掌握高科技全行业资讯

还不是OFweek会员,马上注册
打开app,查看更多精彩资讯 >
  • 长按识别二维码
  • 进入OFweek阅读全文
长按图片进行保存