众所周知,目前全球最强的两家芯片制造企业就是台积电、三星了,去年就进入了5nm。而其它芯片制造企业,包括intel,都没有进入10nm以下。
而按照台积电、三星的计划,2022年会进入3nm,至于具体到什么时候,则没有太确切的说法,当然两家厂商,都想先对方一步。
毕竟在当前的情况之下,如果能够先一步进入3nm,也就意味着可能会获得更多的机会,取得领先优势。
所以我们看到,在进入3nm这个工艺时,双方也是明争暗斗,台积电继续沿用FinFET晶体管技术,以便更稳妥,更快速进入3nm。三星就兵出险招,采用更先进的GAA晶体管技术。
相比于FinFET晶体管技术,GAAFET 架构的晶体管提供比FinFET 更好的静电特性,这样漏电功率会降低,从而功耗降低。
而在昨天,也就是10月7日的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上,三星正式宣布,将于2022年上半年量产3nm制程,更先进的2nm制程将于2025年量产。
而三星也表示,3nm将采用全新的GAA(Gate-all-around,环绕栅极)技术。可以预见的是,GAA技术下的3nm的芯片,其性能有望领先于台积电依然基于FinFET(鳍式场效应晶体管)工艺的3nm工艺。
而其3nm芯片,与5nm制程相较,GAA 制程技术将使得芯片面积可再减少35%,性能可提高30%或功耗降低50%。
目前三星的5nm芯片,已经有高通、IBM、AMD、nvidia等客户了,如果三星真的能够领先台积电,把GAA技术下的3nm芯片量产出来,预计还能够再吸引到更多的客户。
所以接下来就看台积电怎么接招了,如果在采用FinFET晶体管的技术下,还比三星落后一步,那么对于台积电而言,确实是压力山大,毕竟当前在14nm时,三星也是因为FinFET工艺领先,抢走了苹果的订单的,台积电可不愿意让历史重演。
