10月9日,据韩国媒体最新报道,三星电子已经确保3NM制程工艺有稳定的良品率,并计划于明年6月正式投入生产,为相关芯片提供代工。不久前,三星电子的一名高管在三星代工论坛中也透露了这一消息。
据了解,三星电子的3NM工艺,没有延续鳍式场效应晶体管(FinFET)技术,转而采用全环绕栅极晶体管(GAA)技术。三星电子表示,采用GAA技术代工的芯片,其性能比5NM FinFET要高出50%,能耗也会降低50%。
此前,FinFET结构为22NM节点带来了革命性提升,与普通的平面晶体管相比,与栅极三面接触的“鳍”状所形成的通道更容易控制,这也是“鳍式场效应晶体管”名称的由来。然而,随着5NM和3NM面临的技术难点不断累积,FinFET结构逐渐被“掏空”,晶体管微缩的空间已经非常有限。
而GAA则对鳍式通道进行改良,用纳米薄片代替其中的鳍片,使晶体管拥有更强大的负载能力,而且也为后期的工艺进步打下基础。说不定,三星3NM GAA工艺代工的芯片,其功耗比会比现有的5NM FinFET有较大改善。
三星电子对3NM工艺寄予厚望,今年6月底就有成功流片的消息。采用GAA的3NM工艺,5NM FinFET发热大、耗电快、性能释放不稳定的问题可能将成为过去。高通骁龙888表现欠佳,有一部分原因也跟三星5NM工艺有关系。
台积电也没有“闲着”,该公司的CEO魏哲家透露,台积电的3NM工艺在今年下半年进行风险试产,预计明年也将投入生产。
值得一提的是,高通骁龙下一代旗舰SoC可能采用三星4NM LPE工艺。@MauriQHD的推特透露,三星的4NM LPE其实是5NM LPA工艺的改名版。也就是说,新一代的三星4NM工艺不一定会为高通新一代旗舰处理器带来较大的功耗提升。不过,该芯片最终会找哪家企业代工,目前还是未知数。
因为高通骁龙888的表现,不少消费者对“三星代工”似乎并不看好。相比之下,台积电代工的芯片更受网友的青睐,其中包括高通骁龙870。当然,小雷还是希望三星的3NM技术能够挽回5NM的口碑,带来兼顾性能和功耗的产品。
来源:雷科技
