来源︱semiwiki
作者︱Tom Dillinger
台积电最近举办了第10届年度开放创新平台 (Open Innovation Platform :OIP) 生态系统论坛。在会中不但谈及台积电N3流程节点的技术和设计支持更新,还有高性能计算(HPC)平台所推行的举措。本文提供了有关设计工艺协同优化(DTCO)活动的更多详细信息,与N3制程相比,这些活动为N3HPC 带来了性能提升。本文总结了设计解决方案探索和技术基准测试总监Y．K．Cheng主题为“N3 HPC设计工艺协同优化”的演讲重点。
背景
设计工艺协同优化是指工艺开发工程和电路/IP 设计团队之间的合作。技术团队优化设备和光刻工艺"窗口",通常使用 TCAD 流程仿真工具。在先进节点,线宽、间距、均匀性和密度(和密度梯度)允许的光刻变化是有限的。技术优化旨在定义标称制造参数,其中高维统计窗口保持高产量。电路设计团队评估不同光刻拓扑的性能影响,提取寄生RC参数并注释到设备级网列表的模型。
DTCO的一个关键要素是库IP小组所追求的。标准单元格“图像”定义了nFET/pFET 设备宽度的分配(垂直)尺寸以及可用于单元内连接的(水平)布线轨道数。该图像还包含了具有全局电源/接地电网连接要求的局部配电拓扑。
除了库单元图像外,高级节点的缩放金属线的当前密度增加意味着 DTCO 包括接触/通孔连接的工艺光刻和电路设计策略。由于光刻/蚀刻均匀性限制,触点/通孔尺寸的设计可变性极其有限,因此工艺和电路设计团队专注于优化多个并行触点/通孔和相关的金属覆盖范围。
而且,DTCO 的一个至关重要的方面是 SRAM 位单元的设计和制造。设计人员推动积极的单元面积光刻,结合设备尺寸灵活性,以获得足够的读/写噪声容限和性能(在位线上有大量的虚线单元)。工艺工程师寻求确保合适的光刻/蚀刻窗口,与此同时,必须关注制造过程中的统计公差,以保障高良率。
台积电为客户提供内部开发的基础IP提供了一个紧密的DTCO开发反馈循环。
N3HPC DTCO
会上,Y．K．演示强调了N3HPC DTC结果,如下图所示的功率与性能曲线。图中用到的参考设计块来自Arm A78内核;曲线跨越一系列供电电压,具有典型设备特性。与基线N3产品相比,将得到整体12%的性能提升。需要注意的是,对于相同的电源电压,功耗略有增加。Y．K． 详细介绍了已纳入N3HPC的一些DTCO结果。他表示,每个功能都会导致性能增益相对减小 ,需要一致的优化才能实现整体提升。
更大的单元高度
单元内更宽的nFET和pFET设备为HPC架构中常见的电容负载提供了更大的驱动强度。
接触栅间距 (CPP) 的增大
FinFET 设备中一个重要的寄生贡献是栅-源/漏电容 (Cgd + Cgs)-CPP的增大可增加单元面积(和电线长度),但会降低此电容。
增加后端(BEOL)金属间距(更宽的电线)的灵活性,并相应地增加通孔,如下图所示
高效金属绝缘体金属 (MiM)去耦电容拓扑
下面所示的 MiM 电容横截面描绘了三个金属"板"(2 VDD + 1 VSS),用于提高二板实施的均体效率。
改进的去耦(以及减少电容寄生输入阻抗Rin)可减少 HPC 应用中常见的开关活动电源电压"下降"。
双高单元
在开发单元格图像时,库设计团队面临着单元高度和电路复杂性之间的权衡。如上所述,较高的单元格高度允许更多的单元内布线轨迹连接复杂的多阶段和/或高扇入逻辑功能。其中,要求最高的单元格布局通常是可扫描触发器。然而,对于许多门级来说,整个库普遍使用的更大单元高度往往是低效率的。
N3HPC 的 DTCO 活动促使台积电采用双高库设计方法。虽然双高单元被选择性地应用于早期技术,但N3HPC采用了400多个新单元。这就需要与 EDA 工具供应商进行广泛的合作,以支持图像技术文件定义、有效的单元格放置规则以及自动布局布线算法,这些算法将成功地将单高和双高单元集成到设计块中。
Y．K． 还表示,作为N3HPC库设计的一部分,多级单元中的设备尺寸是为优化PPA而重新设计的。
自动布线功能
时序驱动布线算法通过"促进"关键性能网络的层分配,利用了上金属层降低的 R*C/mm 特性。如上所述,N3HPC DTCO的努力使更多的潜在 BEOL 金属线光刻宽度/间距成为可能。
如下所示,布线算法需要增强功能,以便选择"非默认规则"(NDR)来选择线宽/间距。(NDR已经使用了相当长一段时间了——通常,这些性能关键网络是优先布线的,或者通常是手动预布线。N3HPC DTCO 功能要求扩展 NDR 使用量,作为一般自动布线功能。该图还描述了如何通过需要插入的柱图案来支持增加的信号电流。
对于光刻规则严格且 NDR 不是选项的较低金属层,需要增强布线算法以支持平行轨迹布线(以及通过插入),如上所示。
EDA 支持
要利用其中的诸多 N3HPC DTCO 功能,需要额外的EDA工具支持。下图列出了主要 EDA 供应商添加的关键工具的增强功能。
总结
台积电已承诺推出高性能计算平台,作为HPC特定工艺产品的一部分,将带来显著的性能提升。N3HPC 进行了一组DTCO项目,在示例Arm核心设计块上累计获得12%的性能收益。其优化跨越了一系列设计和工艺光刻窗口特性,从标准单元库设计到BEOL互连选项,以及MiM电容制造。相应的EDA工具(特别是自动布局布线)已与主要EDA供应商合作开发。
