最近设计的几款芯片,都因为出光角过大被砍了,特别对于multiple Emitter的激光芯片。
Emitter就是有电流注入地方,也就是发光条。发光条离得近,会导致热聚集,因此从散热角度来看,Emitter距离远一点好,但是从封装和应用的人来看,离得近的好,最好是一个Emitter就可以发个好几瓦的光。
挖局一下网上资源,看看别人家如何设计的。
这一款就有点像日立的芯片了,腔长1500um,宽度400um,Emitter 75um,二者间距约150um。
在来看下激光器的快轴和慢轴的定义
激光芯片的出光快轴和慢轴是针对Far-field来说的,也就是激光器的远场。
快轴是垂直于激光芯片正表面的,慢轴是平行于芯片表面的。也可以叫长的是垂直⊥,短的是平行∥。
一般快轴的发散角大于慢轴,如上图,大功率的激光芯片,快轴的发散角基本上是慢轴的3倍以上。
对于更多的Emitter芯片,Emitter也较区域中心,可能和封装有关吧。
这个图就比较直观一点
所以到底Emitter的间距放大多少合适呢,一曰我放多少你用多少。