1月26日,据日经报道,知情人士称,在新进投资者的推动下,紫光集团将放弃在重庆和成都的存储厂建厂计划,同时前日本尔必达社长、紫光集团高级副总裁兼日本分公司 CEO 坂本幸雄也已离职。
报道称,紫光集团终止的两个项目之一是位于重庆的 DRAM 业务。此前,紫光集团曾希望坂本幸雄执掌 DRAM 业务,通过其经验和人脉在日本组建一个 100 多人的团队,然后在重庆量产先进的 DRAM 产品。
对于团队的组建,坂本幸雄曾对外表示,“日本还有许多能开发存储器的人才。准备了相当于日企五六倍的报酬”。
但知情人士称,招聘工作未能按预期顺利进行,加上紫光集团遭遇财务危机,以及美国阻挠之下获取先进的半导体设备面临重重难关,坂本在去年下半年就已离开紫光集团。这一消息已被坂本的发言人证实。
紫光放弃的第二个存储厂建厂计划位于成都,自2016年以来,紫光集团相继在武汉、南京、成都建设起三座存储芯片制造工厂。其中,位于武汉的长江存储在武汉新芯的基础上已成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片;
2018年8月,长江存储宣布推出全新3D NAND架构Xtacking;不久之后,紫光集团首次展出了长江存储的64层3D NAND闪存芯片。紫光集团原本打算设立价值240亿美元的3D NAND Flash芯片厂。紫光本来希望成都厂能复制长江储存(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.)的成功制造经验。
紫光集团董事长赵伟国公开表示,紫光集团要在成都、南京等比例复制武汉工厂。
紫光重庆DRAM存储芯片制造工厂主要专注于12英寸DRAM存储芯片的制造,该工厂计划于2019年底开工建设,预计2021年建成投产。
紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金,在重庆建设DRAM总部研发中心、紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。
在芯片工厂建成前,紫光集团先期在现有芯片工厂内设立产品中试生产线,进行产品生产工艺技术研发,待工艺成熟后在紫光重庆芯片工厂量产。
2020年底,曾有消息传出,紫光集团位于重庆、成都的存储芯片厂计划严重延迟,可能在紫光债务违约后撤销。
去年7月,由于债务危机迟迟无法解决,紫光遭债权人申请宣告破产。去年12月,由北京建广资产管理有限公司(Beijing Jianguang Asset Management Co.)和北京智路资产管理有限公司(Wise Road Capital)带头的财团,成为紫光集团最新奥援。1月17日北京地方法院批准了此前已获得债权人通过的重整计划。
