2月15日消息，据外媒报道，英特尔收购以色列芯片公司高塔半导体 （Tower Semiconductor）的计划即将完成，预计收购金额为60亿美元。这是英特尔为加强其芯片代工业务采取的最新措施，以完成公司更多的芯片制造计划。
有知情人士称，假设谈判没有破裂，该收购协议最早可能在本周公布。由于 Tower 的市值约为 36 亿美元，这笔交易可能包括巨额溢价。
据了解，Tower 位于以色列北部拿撒勒附近的 Migdal HaEmek，该公司生产的半导体和电路广泛应用于汽车、消费产品、医疗和工业设备等领域。高塔半导体网站显示，该公司在以色列、加州、得州和日本设有制造工厂。
值得一提的是，英特尔曾在去年1月21日宣布，将投资 200 亿美元在美国的俄亥俄州建设两个芯片工厂，预计将于 2025 年开始运营。这两个工厂是更庞大芯片制造中心项目的一环，据路透社消息，英特尔 CEO 帕特?基辛格表示，未来将投资最多 1000 亿美元，建设全球最大的芯片制造中心。
这一战略的目的是解决全球缺芯问题，恢复英特尔在芯片领域的领导地位，此外减少美国对于亚洲芯片工厂的依赖。
目前全球范围内的芯片短缺已经影响到从智能手机到汽车等各个领域的产品。英特尔此举不仅是为了提高芯片产能，也是首席执行官帕特·盖尔辛格（Pat Gelsinger）重振英特尔在芯片制造领域领先地位的战略组成部分。
盖尔辛格表示，200亿美元的先期投资是俄亥俄州历史上最大规模的投资，将在新奥尔巴尼占地1000英亩（约合400公顷）的土地上创造3000个就业机会。他表示，这一数字可能会增至1000亿美元，共建设8家制造工厂，也将是俄亥俄州有记录以来最大的投资。
英特尔 CEO 基辛格还表示，即使没有美国政府的资金支持，英特尔仍会选择俄亥俄州建设新工厂，只不过进度不会那么快。
芯片产品性能超越苹果及AMD
据了解，英特尔CEO基辛格在去年对公司的商业模式进行了一系列的战略革新，宣布英特尔正式进入IDM2．0模式，使用第三方芯片代工厂为自身工艺进行补充，并加速提升自身芯片制造能力，基辛格在今年7月份的时候表示，要带领英特尔重回巅峰地位。
在今年举办的CES 2022大会上，英特尔发布了自家 12 代酷睿处理器的移动端产品，从低压 U 系列到标压 H 系列，产品线十分丰富。
值得注意的是，英特尔还特意公布了一张功耗与性能的曲线图，从图中数据可以看出，12900HK 在性能方面明显优于苹果 M1 Max与AMD Ryzen 9 5900HX。
（图源英特尔发布会）
除此之外，在2021年12月，特尔CEO基辛格乘坐私人飞机抵达台湾，与台积电高层商讨其与台积电的7nm、5nm、4nm的芯片代工后续合作事务，提前预定好台积电的3nm先进制程工艺。英特尔预计在2023年推出其最强的中央处理器Meteor Lake，并打算将该处理器的绘图芯片交由台积电的3nm制程工艺代工制造。
成功抢下ASML新一代EUV光刻机
在2021年7月底的“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，英特尔就已经宣布将在2024年量产20A工艺（相当于台积电2nm工艺），并透露其将率先获得业界第一台High－NA EUV光刻机。ASML TWINSCAN EXE：5200光刻机的首份订单正是来自于英特尔。
英特尔全球技术开发团队负责人Ann Kelleher透露，英特尔与ASML一直以来都是长期的战略合作伙伴，关系非常密切，并且英特尔还参与了High－NA EUV光刻机的定义与构建，在High－NA EUV光刻机实现量产的过程中，需要构建一个以该设备为中心的完整的供应链生态，包括光刻胶、掩模生成、蒙版加附、计量检测等，英特尔为构建这个生态系统付出了很大努力。
在今年1月19日，ASML正式发布了其2021年第四季度和全年财务业绩，并宣布英特尔成为首个向ASML发出TWINSCAN EXE：5200极紫外光刻机系统订单的公司。据了解，TWINSCAN EXE：5200 是ASML新研发的光刻机，提供了 0．55 数值孔径，相较于前代 EUV 光刻机的 0．33 数值孔径透镜的精度有所提高，可以为更小的晶体管功能提供更高分辨率的模式。
ASML总裁兼首席技术官Martin van den表示，英特尔对ASML在High－NA EUV技术的远见和早期承诺证明了对摩尔定律的不懈追求。与目前的EUV系统相比，ASML的扩展EUV路线图以更低的成本、时间周期和架构等方面提供了持续的改进，这将推动芯片行业未来十年发展的动力所在。
对于英特尔来说，抢先获得ASML TWINSCAN EXE：5200光刻机，正是英特尔笃定其制程工艺能够超越台积电、三星重回领先地位的关键。再加上英特尔进一步收购半导体企业，持续推出性能强劲的新一代产品，投资新建芯片工厂的行动，其重回半导体企业巅峰地位的计划有望实现。
