众所周知，芯片的原材料是砂子，但从砂子变成芯片，中间要经过N道工序，需要N种设备，同时也需要尖顶的技术。
而这些设备中，最重要的就是光刻机、刻蚀机了，按照机构的数据显示，在芯片制造的所有设备中，光刻机的成本占比约为24％，而刻蚀机的占比约为20％，这两种设备合计占比为44％。
之后再是薄膜沉积设备、测试设备和封装设备，分别占比20％、9％、6％。不过薄膜沉积设备不只有一台，而是一类机器，有很多种，与光刻机、刻蚀机还是不一样的。
那么问题就来了，既然这两种设备这么关键，那么国内的光刻机、刻蚀机技术如何，与世界先进水平相比，有多大的差距？
先说光刻机，这也是大家最关心的，目前全球最顶尖的光刻机自然是ASML的0．55孔径的EUV光刻机，售价大约为22亿一台，可生产2nm以下甚至埃米级（0．1nm）级的芯片。
之后再是0．33孔径的ASML的EUV光刻机，售价10亿元一台，可生产5nm、4nm、3nm级别的芯片。
不过EUV光刻机只有ASML能够生产，像尼康、佳能也不生产不了，而目前国内厂商上海微电子能够生产的，且对外公开的（不公开的不清楚），只能用于90nm工艺，离ASML至少是10年的差距。
再说说刻蚀机，这一块国产就非常厉害了，国内有一家厂商叫做中微半导体，生产的刻蚀机，在精度方面已经达到了3nm，并且被台积电采用。
而中微半导体的刻蚀机与国际顶尖水平的应用材料、泛林相比，是处于同一水平的，这一块没有落后。
另外再提一下薄膜沉积设备这一块，国内北方华创等也有生产，不过精度大约在14nm的水平，国产化率在10％到15％。
可见，半导体设备中的关键产品，我们其实除了光刻机外，其它的并不算特别落后，只要国产光刻机能够有突破，那么纯国产芯片的工艺也就能够迅速突破了。
原文标题 : 半导体设备中的核心：光刻机占24%，刻蚀机占20%，我国技术如何？
