公司内部以及合作开发的七款设计工具可以为45W至140W的适配器带来高性能650V氮化镓FET的优势
加州戈利塔－－（新闻稿）－－ （美国商业资讯）－－高可靠性、高性能氮化镓（GaN）电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm， Inc． （Nasdaq： TGAN）今天宣布推出七款参考设计，旨在加快基于氮化镓的USB－C PD电源适配器的研发。该参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，覆盖多种拓扑结构、输出和功率（45W至140W）。
SuperGaN?技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为Transphorm氮化镓器件的代名词。在最近的对比分析中，与175毫欧的e－mode氮化镓器件相比，Transphorm的240毫欧SuperGaN FET在温度超过75℃时显示出更低的导通电阻上升幅度，并在50％和100％（全）功率下拥有更高的性能。
电源适配器参考设计Transphorm的参考设计组合包括五款开放框架的USB－C PD参考设计，频率范围从140到300 kHz。其中包括Transphorm与Silanna Semiconductor合作开发的一款65W有源钳位反激模式（ACF）参考设计，运行频率为140kHz，峰值效率为94．5％。
· （1x） 45W适配器参考设计采用准谐振反激模式（QRF）拓扑结构，可提供24 W／in3的功率密度
· （3x） 65W适配器参考设计采用ACF或QRF拓扑结构，可提供30 W／in3的功率密度
· （1x） 100W适配器参考设计采用功率因数校正（PFC）＋QRF拓扑结构，可提供18 W／in3的功率密度
Transphorm的参考设计组合还包括两款开放框架的USB－C PD／PPS参考设计，频率范围110到140 kHz。Transphorm与Diodes Inc．合作开发了这两款解决方案，利用该公司的ACF控制器实现了超过93．5％的峰值效率。
· （1x） 65W适配器参考设计采用ACF拓扑结构，可提供29 W／in3的功率密度
· （1x） 140W适配器参考设计采用PFC＋ACF拓扑结构，可提供20 W／in3的功率密度
Transphorm现场应用和技术销售副总裁Tushar Dhayagude表示：“Transphorm独具优势，可提供唯一能适用于广泛应用的、涵盖众多功率水平的氮化镓FET组合。我们的电源适配器参考设计凸显出我们的低功率能力。我们提供与控制器无关的PQFN和TO－220器件，可以极大地简化设计。这些优势以及其他特点有助于客户快速、轻松地将具有突破性功率效率水平的氮化镓解决方案推向市场。这正是Transphorm氮化镓器件的价值所在。”
关于Transphorm
Transphorm， Inc．是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1，000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC－Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，Transphorm能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。 Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99％、将功率密度提高40％以及将系统成本降低 20％。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。
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