革了尼康、佳能命的浸润式光刻机,是怎么被ASML研发出来的?

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如果关注关刻机技术的人都清楚,目前有两种光刻机,一种是DUV,一种是EUV。

其中EUV用于7nn及以下芯片的光刻,DUV用于7nm以上的芯片光刻。而DUV光刻机,基本上都是采用浸润式原理。

即在光刻机中,采用水为介质,让193nm波长的光线,进入水中进行折射后,让波长变成132纳米,从而实现从45nm-10nm级别的光刻。

 革了尼康、佳能命的浸润式光刻机,是怎么被ASML研发出来的?

事实上,在浸润式光刻机推出之前,业界采用的均是干式光刻机,即介质为空气,193nm波长的光线,直接进行光刻。

而在干式光刻机技术中,尼康、佳能才是巨头。至于ASML,还只是一个小工厂,与尼康、佳能完全不是一个级别的。

后来是ASML押宝浸润式光刻机,某了尼康、佳能的命,把尼康、佳能踩在了脚下。

 革了尼康、佳能命的浸润式光刻机,是怎么被ASML研发出来的?

那么问题就来了,为何偏偏是ASML?

事实上,在光刻机采用193nm波长后,芯片工艺达到了65nm了,接下来芯片工艺是朝着45nm前进。但193nm的光线,感觉不够精细,所以业界把光刻的光线瞄向了157nm的波长上。

但157nm这个波长的光线,很不好,这种光线穿透率很差,这就需要光罩材质要改进,镜头技术也改进。另外氧气会吸收157纳米的光,所以干式介质中,不能有氧气,要采用氮气。反正就是157nm波长的光线,难题一大堆,非常不好解决。

 革了尼康、佳能命的浸润式光刻机,是怎么被ASML研发出来的?

这时候在台积电工作的林本坚,提出了一个观点,为何一定要用干式介质呢?用水来当介质也可以的。

并且在经过不断的试验之后,他发现193nm波长的光线经过水折射后,波长变为132nm了,这个波长跳过了157nm这个讨厌的波长,又解决了问题,岂不是两全齐美?

但这时候像尼康、佳能等早就在157nm波长上投入了几十亿美元研究,并且认为157nm波长才是方向,所谓的浸润式技术上并不可行,所以没怎么理会。

 革了尼康、佳能命的浸润式光刻机,是怎么被ASML研发出来的?

只有ASML因为是小厂,反正光脚的不怕穿鞋的,觉得可以赌一把,于是用这个技术,赶出来了一台试验性的浸润式光刻机,并把一些试验出来的结果给台积电看。

台积电一看,觉得技术完全可行,于是台积电和ASML两家公司一起努力,研发浸润式光刻机了。

而这时像尼康、佳能等,还说林本坚是在搅局,甚至想通过高层来阻止林本坚研发浸润式光刻机,因为他们在157nm波长光刻机上投入太多了,还联合了产业链一起向157nm推进,不可能半途而废,那几十亿美元打了水漂了,给产业链也没法交待。

 革了尼康、佳能命的浸润式光刻机,是怎么被ASML研发出来的?

最后就是ASML与台积电研发浸润式光刻机成功了,而研发157nm波长光刻机的尼康、佳能没有拿出可靠的产品出来。

于是后来所有的晶圆厂,都转向了ASML生产的浸润式光刻机,当尼康、佳能转向浸润式光刻机时,已经落后ASML三、四年了。

所以最后,尼康、佳能只能看着ASML越来越火,最后还推出了EUV光刻机,他们却慢慢的被淘汰掉了……

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