我国是世界最大的功率半导体消费市场；随着电动车市场崛起；电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能；新能源汽车需求带动MOSFET及IGBT持续增长；作为其核心部件的IGBT产品具有广阔的市场前景。
IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率和质量,具有高效节能和绿色环保的特点,是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术,被誉为绿色能源的“核芯”。
目前国内的晶闸管、晶圆片部分二极管、防护器件等仍以4寸线为主流；平面可控硅芯片、肖特基二极管、IGBT模块配套用高电压大通流整流芯片，低电容、低残压等保护器件芯片和部分MOSFET等以6寸线为主流；
电动汽车使用到IGBT的装置主要有五项(包含逆变器、直流/交流电变流器、车载充电器、电力监控系统以及其他附属系统)，其中，逆变器、直流/交流电变流器以及车载充电器对电动汽车性能表现影响最为关键；IGBT是影响电动车性能的关键技术，其成本占整车成本的5%左右。
对于电动车而言，IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率等。
高功率IGBT是电动车马达系统的关键元件及能量耗损之处，一旦马达系统效率提升，将能带动电动车速度、降低散热系统需求并提高电池续航力；
台湾茂矽电子降低晶圆导通电阻，通过六寸晶圆降低IGBT製造成本并得到较高的良率，并改善电动车关键零组件多得向英飞凌（Infineon）、意法半导体（ST）等国外大厂购买的情形。
目前市面上出现的晶圆直径主要是150mm、200mm、300mm，分别对应6英寸、8英寸、12英寸的晶圆；国产芯片在晶圆的产能上，也就是在6寸上有优势；
全球10大8”晶圆厂約有40座,其中33座在亚洲(台湾15座,中國8座)在2019-2021产能仅扩厂5%,仍不足以满足后续电动车与工业控制市场,导致IGBT持续涨价。
由工采网代理的台湾茂矽电子推出的IGBT晶圆 - P81MV022NL0013P是一款1200V、40A、FS工艺的6寸IGBT晶圆片；1200V壕沟和现场停止技术；低开关损耗；正温度系数；简单的平行技术。
芯片图：
茂矽电子成立于1987年，晶圆制造长期聚焦在功率半导体元件及电源管理IC领域，以MOS管、IGBT，模拟芯片、二极管等产品为主，打破国外垄断现象。
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原文标题 : 茂矽六寸IGBT晶圆开启智能新能源汽车新时代
