几个月前，DDR5内存刚成为主流，如今三星已经率先开始了下一代DDR6内存的早期开发过程。近日，据韩媒报道，三星DDR6内存已经投入研发，并预计在2024年之前完成设计。
在韩国水原的一次研讨会上，三星负责测试和系统封装（TSP）的副总裁透露，随着未来内存本身性能的扩大，封装技术也需要不断发展。该公司证实，它已经处于下一代DDR6内存的早期开发阶段，将采用MSAP技术。目前，MSAP已经被三星的竞争对手（SK海力士和美光）用于DDR5中。
据悉，MSAP修正后的半加成工艺允许DRAM制造商创建具有更精细电路的内存模块。这是通过在以前未被触及的空位上涂抹电路图案来实现的，这样可以实现更好的连接和更快的传输速度。下一代DDR6内存不仅将利用MSAP来加强电路连接，而且还将适应DDR6内存中增加的层数。
以前的帐篷法只能在圆形铜板上形成电路图案的区域进行涂层，而其他区域则被蚀刻掉。但在MSAP中，电路以外的区域都被镀上了一层，这样就可以形成更精细的电路。三星副总裁表示，随着存储芯片的容量和数据处理速度的提高，必须设计出适合这种情况的封装。随着层数的增加和工艺的复杂化，内存封装市场也将呈指数级增长。在扇出型封装方面，三星正在应用扇出－晶圆级封装（FO－WLP）和扇出－面板级封装（FO－LP）。
预计三星将在2024年之前完成其DDR6设计，2025年之后才会有商业使用的可能。就规格而言，DDR6内存的速度将是现有DDR5内存的两倍，传输速度可达12800 Mbps（JEDEC），超频后的速度可超过17000 Mbps。目前，三星最快的DDR5 DIMM的传输速度为7200 Mbps，在JEDEC标准下提高了1．7倍，在下一代内存芯片的超频速度下提高了2．36倍。
