MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC／DC 转换器和高达100V的电源电压来驱动两个N沟道MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容MOSFET中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达114V的电压条件下运行。
MOSFET又叫场效应管，输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，因导通内阻低、开关速度快等优点而广泛应用于开关电源中。在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑导通电阻、最大电压、最大电流，常根据电源IC和MOSFET的参数来选择合适的电路。但很多时候仅仅考虑了这些因素并不是一个好的设计方案，还应考虑本身寄生的参数。Mos管驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等都会影响MOSFET的开关性能。
MOSFET驱动电路五种要求：
1、开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
2、开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
3、关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。
4、驱动电路结构简单可靠、损耗小。
5、根据情况施加隔离。
推荐一款来自台湾美禄应用在电源MOSFET驱动器中的光耦 － MPH314，MPH－314系列光耦合器非常适合驱动电源逆变器和用于电机控制的逆变器和MOSFET。它包含一个LED光学耦合到一个具有功率输出级的集成电路。光耦合器在－40°C～＋110°C的温度范围内保证其工作参数。
光耦合器属光电器件中之一环，系一发光及受光元件的组合体，借由光的传输达到导通的要求，为一理想的绝缘体，因此在许多电子电器产品上，皆采用此器件作为【高压隔离】用途。发光器件通常为发光二极体，受光器件通常在低阶产品为光二級管／光三級管／光晶閘管，高阶产品为光耦合積體電路。
光耦 － MPH314的特性：
1．0A的最大峰值输出电流
轨对轨输出电压
110ns最大传播延迟
带有滞后现象的低电压锁定保护（UVLO）
宽工作范围：10至30伏（VCC）
保证性能超过温度－40°C～＋110°C
台湾美禄在光耦合器领域颇有建树，技术以及产品方面已经很完善，如果想了解更多光耦合器的技术资料，欢迎致电联系：133 9280 5792（微信同号）
原文标题 : 应用在电源MOSFET驱动器中的光耦
