芯片行业步入下行阶段,中国芯片弯道超车,ASML真的后悔了

柏铭007
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日前ASML表示自己是欧洲企业而不是美国企业,它将积极寻求DUV光刻机的自由出货,甚至还计划在EUV光刻机技术上摆脱美国的羁绊,希望加强与中国芯片合作,为何ASML的态度突然发生重大变化?

芯片行业步入下行阶段,中国芯片弯道超车,ASML真的后悔了

一、中国芯片弯道超车

给ASML带来震撼的无疑是中国筹建光子芯片生产线,这意味着中国推进光子芯片技术已取得重大突破,这将可能彻底改变当下的芯片技术,对ASML等海外芯片设备企业造成重大打击。

光子芯片生产线的筹建,代表着中国研发新的芯片技术替代当下的硅基芯片迈出了坚实的一步,按照这样的发展进度,中国或许将率先商用光子芯片,从而实现弯道超车,在芯片技术方面取得领先地位。

当然考虑到光子芯片进入逻辑计算还需要一段时间,中国也仍然继续研发硅基芯片,在硅基芯片方面虽然受制于海外芯片设备,但是中国通过完善自己的芯片制造产业链,纯国产化的14nm工艺即将变成现实,也正是由于中国在14nm光刻机方面的突破,美国并未限制14nm及以上光科技对中国销售。

除了继续研发先进工艺之外,中国还在研发特色工艺,中芯国际研发的55纳米BCD工艺就超越了该项工艺的开创者意法半导体,意法半导体如今的先进BCD工艺才是90纳米,特色工艺的弯道超车让海外芯片行业认识到了中国芯片的潜力。

二、ASML面临的压力

业界都清楚当下的硅基芯片已逐渐接近极限,即使是当下已量产的3nm工艺以及正在研发的2nm工艺可以继续提升硅基芯片的性能,成本也变得难以承受,台积电的3nm就因为成本过高以及性能不达标而没有客户愿意采用,被迫进一步改良至N3E工艺,祈求N3E工艺能获得客户的认可。

芯片行业步入下行阶段,中国芯片弯道超车,ASML真的后悔了

相比3nm工艺,2nm工艺将需要第二代EUV光刻机,第二代EUV光刻机的成本将是第一代EUV光刻机的三倍以上,研发难度也更高,如此一来2nm工艺的超高成本能否获得芯片企业的认可将是问题。

如此芯片制造企业台积电等对于采购先进光刻机的态度已不那么坚决,毕竟成本那么高,如果没有客户的话大量投资将可能打水漂,这让ASML开始担忧投入巨资研发的第二代EUV光刻机能带来多少收入。

对于ASML来说当下更是可能面临生存问题,今年以来全球芯片行业已步入下行阶段,先进工艺产能面临过剩,台积电已计划关闭部分EUV光刻机,SK海力士、美光科技等也表示明年大规模缩减开支,这意味着它们很可能不再采购EUV光刻机和DUV光刻机,此时中国这个客户的重要性被进一步凸显。

在光子芯片真正商用之前,中国仍然需要依托于现有的芯片技术扩张产能,中国期望到2025年实现七成芯片自给率,而2021年才达到三成多点,如此ASML如果能自由对中国销售光刻机,中国市场对ASML来说就是雪中送炭。

中国近期的芯片设备招标也给了ASML一记重拳,中国招标28台光刻机,结果中国自身的光刻机企业获得了7台,日本光刻机则获得了21台,ASML一台订单也没有获得,显然中国芯片行业给ASML释放了信号,光刻机不是非ASML不可。

芯片行业步入下行阶段,中国芯片弯道超车,ASML真的后悔了

正是在诸多不利因素影响之下,ASML如今开始转变态度,开始寻求摆脱美国的羁绊,而争取中国芯片的订单,避免自己在如今的寒冬中瑟瑟发抖,这已是ASML的生死存亡之际,可以说ASML如今真的后悔了。

       原文标题 : 芯片行业步入下行阶段,中国芯片弯道超车,ASML真的后悔了

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