作为科技产业，以及信息化、数字化的基础，芯片自诞生以来，就一直倍受关注，也一直蓬勃发展。
而这几年，由于美国想切断全球芯片供应链，打破全球供应链一体化的格局，引发了全球的恐慌，所以我们看到全球各国都在打造芯片产业链，想要尽量摆脱或减少对美国的依赖。
而中国就更加不例外了，毕竟我们就是美国重点打压的对象之一。
这几年， 国内在半导体材料、设备、技术等方面，不断突破，但与此同时，我们也发现了一个比较尴尬的事实，那就是当前芯片制造的三大流程中，设计、封测与全球顶尖水平是基本同步的，但制造却落后了可能有10年的差距。
先说设计，当前国际上最先进的芯片设计水平是3nm，而国内也拥有同等的水平，华为麒麟虽然无法量产，但华为的研发一直没断，与全球顶尖水平是同步的。
另外三星量产3nm时，国内的厂商是第一批客户，也说明国内早有3nm芯片的设计能力。
再说封测这一块，国内有三大封测厂商，排名全球前10，分别是长电科技、通富微电、天水华天，这三大封测企业在全球的排名分别是第3、5、6名。
这三大企业也表示自己拥有了4nm芯片的封测技术，至于3nm，因为也刚量产，所以没有表示，但考虑到封测的门槛并不高，所以这三大企业同步实现3nm的封测，也没问题。
最落后的就是芯片制造这一块了，大陆最强的芯片制造企业是中芯，当前对外公开的，已经量产的工艺是14nm，2019年就已经量产了。
不过由于缺EUV光刻机，然后就卡在14nm了，而2022年被拉入黑名单，进一步限制了先进工艺设备的进口，估计工艺突破，目前而言是比较困难了，所以中芯当前的策略，很明显是在提升成熟工艺产能，先解决国内晶圆产能的缺口，慢慢徐之。
而全球顶尖的芯片工艺是3nm，从14nm到3nm工艺。那么从14nm到3nm，需要多久的时间？我们参考下台积电、三星、英特尔这三大巨头。
台积电于2015年实现了16nm，然后2023年实现了3nm，间隔了8年时间，三星的时间大致也是如此，也是大约8年的时间。至于intel，从14nm到3nm，花的时间会更久，预计会在9年左右。
所以中芯要提升到3nm，就算先进设备不受限制，估计都得10年左右，目前先进设备以及一些技术还受限制，10年都不一定追上来。
所以整体来看，当前国内最应该补的短板，就是芯片制造能力，只要制造能力提升上来，设计、封测都不是问题，随时能够等同国际顶尖水平。
原文标题 : 中国芯的现状：设计、封测与制造，可能有10年的差距
