这份文档是针对使用GTX314L，GTX312L芯片做智能锁产品的时候的设计建议和注意事项，根据项目形态不同会略有差异，可以根据客户实际情况进行调整。
硬件设计注意事项：
1）VDD供电要稳定，电池通过LDO后单独拉线供电，建议不要和主控和其他芯片串在一起供电。
2）RIN 脚的电容挂10PF左右，智能锁上现有客户主要都是挂6．8PF和10PF为主。
3）芯片VDD电压和外围上拉的VDD要一致，不一致的时候和请单独咨询。
4）从芯片的SIN脚到按键焊盘的走线尽量短，SIN线和SIN线之间的间距越大越好，平行走线数量越少越好。
5）SIN线上的电阻靠近芯片，也可以根据版型情况去掉这个电阻。
6）SIN和RIN线的旁边和底层不要有地，旁边的地和底层的地要和SIN线的距离保持 0．5mm以上，越大越好，若是无法保证0．5mm以上间距的时候也可以缩短，请具体咨询技术支持人员。
7）SIN线和天线的间距越大越好，SIN线和天线不管是在同一层或者不同层，平行走的距离越短越好，SIN线和天线在不同层之间可以交叉走线，SIN线和天线走线尽量不要重叠，稍微重叠一点没关系，但不要完全重叠。
8）音频线不要走芯片下面，晶振尽量不要放在芯片和按键焊盘背面。
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软件寄存器设置（电容式触摸芯片 － GTX314L为例）
本文档中的寄存器设置针对普通的智能锁设计，针对干扰大，走线密的产品除了本文中涉及到的设置方法以外还有一些隐藏的寄存器设置，当遇到这种特殊的情况的时候可以单独技术咨询。
逻辑顺序：上电初始化－＞进入待机设置－＞唤醒时重新进行上电初始化
软件寄存器设置（电容式触摸芯片 － GTX312L为例）
GTX312L芯片的软件部分由于GTX314L芯片比GTX312芯片多了两个按键，所以只需要上电初始化的时候通过加0x05寄存器写0F来关闭两个通道即可，其他都一样。
用GTX312L芯片PIN TO PIN替换TSM12方法：
如果客户原来使用的是TSM12芯片，当替换成GTX312L的时候需要做如下改动：
1）原来TSM12原理图中第15脚上的电阻换成5PF～10PF左右大小的电容。
2）原来TSM12原理图中第16脚悬空处理。
3）如果客户想改动小就按上面1和2项处理，如果客户想进一步节省成本的话，可以把其他脚上的器件全部拿到，但是I2C上的10K上拉要保留。
除了上述寄存器以外GTX314L和GTX312L芯片还提供了更多丰富内容的寄存器，根据项目不同，可以通过上述内容和一些隐藏寄存器解决各种干扰引起的问题，遇到这些技术问题请来电咨询。
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原文标题 : GTX314L，GTX312L触摸芯片智能锁设计建议
