众所周知，美国最近已经联手荷兰、日本，对中国芯进行了全面围堵，目标是卡死中国芯片工艺制程在14nm，不准再前进。
实话实说，目前的形势对我们非常不利，ASML的EUV光刻机买不到，能用于7nm工艺的浸润式光刻机，ASML、尼康也不能卖，只能卖出14nm以上工艺的光刻机。
而国产的光刻机，分辨率还在90nm，要达到14nm以下，估计还得非常长的时间。
所以很多人认为，在硅基芯片上，在短时间内追上甚至超过美国，基本上不太可能了，再加上硅基芯片，已经快要达到性能极限了，注定要被新材料新技术替代的，所以我们需要换道超车，提前布局才行。
而量子芯片、光子芯片、碳基芯片是新的方向。其中特别是碳基芯片，更是成为了很多人的希望，因为目前在碳基芯片上，我们的水平并没有落后，在材料、制造、研究等领域，是处于世界前列的，截至2022年底，中国与碳基芯片相关的石墨烯专利技术申请量约占全球的80％。
再加上碳基芯片的电子迁移率远高于硅基材料，性能至少是硅基芯片的10倍以上，同时功耗还能大幅降低。
还有人称，碳基芯片，由于不使用硅，所以现有的光刻机技术，可能会被颠覆，不再需要EUV光刻机了，所以中国芯也就不会再被光刻机卡住脖子，值得我们大干一场。
事实上，目前的碳基芯片基本上还处于概念阶段，并没有实际可以量产的成品出现，更多的只是科学研究，全球都是如此。
同时由于载碳原子有4个自由电子，碳晶体管本身具有较高的导热性与电子活泼性，导致碳晶体管的内部结构十分不稳定，这也是当前制造碳基芯片的难点。
此外，从现在的研究来看，制造碳晶体管，依然采用的是当前硅基芯片的相同技术，还是采用投影式光刻机，对电路图进行投影，原理、过程都一致的。
这意味着，想靠碳基芯片来绕过光刻机，以及EUV光刻机，在当前阶段可能并不现实，碳基芯片与硅基芯片相比，只是材料不同而已，制造方式还是一样的。
当然，碳基芯片远比硅芯片先进，比如40nm的芯片碳基芯片，可以达到10nm硅基芯片的性能，也就是说14nm的碳基芯片，或许能达到3nm硅基芯片的性能，而我们如今掌握了14nm工艺，如果能率先制造出碳基芯片，确实是换道成功。
但是，实话实说，任何技术，都需要积累相关技术优势才能真正实现弯道超车，想要换条道，就可以超过别人，并不太现实，只有我国的半导体产业更加完善，将原本薄弱的基础都补上来，才能真正开启一个全新的芯片时代，你觉得呢？
原文标题 : 碳基芯片，能帮助中国芯超过美国，还不需要EUV光刻机？
